Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Электронный каталог (19)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=тиристоры<.>)

Общее количество найденных документов : 19
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-19

001(09)
Г 808

Грехов, И. В.
Создатель силовой полупроводниковой электроники [Текст] : к 100-летию со дня рождения академика В. М. Тучкевича / И. В. Грехов // Вестник Российской академии наук. - 2004. - Т. 74, N 12 . - ISSN 0869-5873

УДК

001(09)

621.38

ББК 72.3
Рубрики: Наука. Науковедение--История науки
Радиоэлектроника--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
исследования -- ученые -- юбилеи -- полупроводники -- полупрводниковая электроника -- диэлектрики -- диэлектрическая электроника -- рентгеновское излучение -- германиевые диоды -- диоды -- реакторы -- тиристоры
Аннотация: Академику Владимиру Максимовичу Тучкевичу - ученый, создатель силовой полупроводниковой электроники. Основными направлениями его работы были исследования электрических свойств диэлектриков и воздействия на них рентгеновского излучения; под его руководством были сделаны первые в стране мощные германиевые диоды, первые полупроводниковые устройства для бесперебойного питания реакторов атомных подводных лодок; проводились работы по созданию мощных тиристоров.

Доп.точки доступа:
Тучкевич, В. М.

Найти похожие

621.38
Б 649

Бирюков, С.
Тиристорные переключатели серии КР1182КП1 [Текст] / С. Бирюков // Радио. - 2001. - N6

УДК

621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
тиристоры -- динисторы -- тиристорные переключатели -- переключатели -- электролюминесцентные лампы -- автогенераторы импульсов -- схемы
Аннотация: В статье описываются приборы,предназначенные для коммутации тока через нити накала электролюминесцентных ламп, для применения в автогенераторах пилообразных импульсов и т.п.Зарубежный аналог-MN611А.

Перейти: http://www.paguo.ru/

Найти похожие

621.38
С 374

Симметричные тиристоры серии КУ503 [Текст] // Радио. - 2005. - N 3. - Библиогр.: с. 52 (3 назв. ) . - ISSN 0033-765X

УДК

621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
тиристоры симметричные -- симметричные тиристоры -- кремниевые тиристоры -- тиристоры кремниевые -- технические характеристики
Аннотация: Кремниевые маломощные планарно-эпитаксиальные тиристоры КУ503А, КУ503Б, КУ503В, КУ503А9, КУ503Б9, КУ503В9 структуры n-p-n-р-n предназначены для работы в формирователях импульсов, открывающих мощные симисторы в регуляторах мощности переменного тока, в устройствах электронной защиты.

Найти похожие

621.38
Г 80

Грехов, И. В.
Статические и динамические характеристики мощного интегрального тиристора с внешним полевым управлением [Текст] / И. В. Грехов, Т. Т. Мнацаканов [и др.] // Журнал технической физики. - 2005. - Т. 75, N 7. - С. 80-87. - Библиогр.: c. 87 (12 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
диффузионные слои; МОП транзисторы; мощные интегральные тиристоры; тиристорные чипы SGTO; тиристоры
Аннотация: Представлен теоретический анализ физических процессов в мощном интегральном тиристоре с внешним полевым управлением. Рассмотрены особенности конструкции такого прибора и влияние параметров диффузионных слоев тиристорной структуры на вольт-амперную характеристику во включенном состоянии. Дан расчет и сделаны оценки предельного выключаемого тока, который определяется током удержания тиристорной структуры, зашунтированной внешним МОП транзистором. Приведены расчетные зависимости максимального запираемого тока от величины эффективного сопротивления, включающего в себя сопротивление канала МОП транзистора и сопротивление металлизации затвора. Выполнено численное моделирование процесса спада тока, которое показало, что при включении МОП транзистора ток после некоторой задержки спадает за доли микросекунды примерно на 90%, а затем следует участок более медленного спада.

Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2005/07/page-80.html.ru

Доп.точки доступа:
Мнацаканов, Т. Т.; Юрков, С. Н.; Тандоев, А. Г.; Костина, Л. С.

Найти похожие

621.38
Г 80

Грехов, И. В.
Особенности процесса выключения мощного интегрального тиристора с внешним полевым управлением [Текст] / И. В. Грехов, С. Н. Юрков [и др.] // Журнал технической физики. - 2006. - Т. 76, N 5. - С. 76-81. - Библиогр.: c. 81 (8 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
выключение тиристора; мощные интегральные тиристоры; тиристоры; тиристоры с внешним полевым управлением
Аннотация: Представлены результаты качественного и количественного анализа основных этапов процесса выключения мощного интегрального тиристора с внешним полевым управлением. Развита аналитическая модель этапа задержки выключения, адеквантность которой проверена численным расчетом переходного процесса спада тока при выключении n{+}pnn'p{+}-структуры. Обнаружен эффект гиперзадержки, который возникает при приближении запираемого анодного тока к предельной величине, зависящей от параметров тиристорной структуры и цепи управления. Выполнен расчет удельной энергии потерь и показано, что основная часть потерь при выключении приходится на этап медленного спада тока.

Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2006/05/p76-81.pdf

Доп.точки доступа:
Юрков, С. Н.; Мнацаканов, Т. Т.; Тандоев, А. Г.; Костина, Л. С.

Найти похожие

530.1
Г 671

Горбатюк, А. В.
N-S-переход на неизотермических характеристиках высоковольтных диодов и тиристоров [Текст] / А. В. Горбатюк, авт. К. В. Игумнов // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып. 3. - С. 58-65

УДК

530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
высоковольтные диоды -- высоковольтные тиристоры -- амбиполярные диффузии -- тепловой пробой
Аннотация: При численном моделировании стационарных неизотермических характеристик прямосмещенных высоковольтных диодов и тиристоров в интервале плотности тока J~200-500 A/cm2 в их форме обнаружен N-S-переход, а также гистерезис в режимах источника постоянного тока. Установлено, что механизм этого явления связан с температурным снижением коэффициента амбиполярной диффузии при усиливающейся рекомбинации. Показано, что приборы с такими ВАХ могут необратимо переключаться кратковременными импульсами тока из устойчивых состояний на рабочей ветви в состояния с высоким тепловыделением, что грозит тепловым пробоем.

Доп.точки доступа:
Игумнов, К. В.

Найти похожие

608
И 741

Информация Роспатента [Текст] // Интеллектуальная собственность: Промышленная собственность. - 2006. - N 10. - С. 71-73 . - ISSN 0201-7067

УДК

608

ББК 30у
Рубрики: Право--Творческие правоотношения--Россия
Кл.слова (ненормированные):
патенты; изобретения; системы подсвета; космическая телефония; электронагреватели; тиристоры; стабилизаторы тока; источники электропитания; защита вычислительных сетей; высокочастотная связь; переменное напряжение; стиральные машинки; бронированные кабели; утилизация
Аннотация: Представлены перспективные российские разработки в области электрорадиотехники, электросвязи.

Найти похожие

Исследование статических характеристик и особенностей процесса переключения интегрального тиристора с внешним полевым управлением [Текст] / И. В. Грехов [и др. ] // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 12. - С. 78-84. - Библиогр.: c. 84 (13 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

^a621.382

ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные):
интегральные тиристоры -- тиристоры -- тиристоры с внешнем полевым управлением -- переходные процессы -- переключение
Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования статических параметров и переходных процессов переключения нового высоковольтного быстродействующего прибора ключевого типа - интегрального тиристора с внешним полевым управлением - и их зависимости от геометрических и электрофизических характеристик базовых слоев n+pnn'p+-структуры прибора. Показано, что остаточное сопротивление высоковольтного (~2. 5 kV) микротиристорного чипа во включенном состоянии существенно меньше, чем у аналогичных IGBT, а быстродействие достаточно высокое. Одним из достоинств разработанного прибора является его многофункциональность - способность работать в различных режимах эксплуатации. В частности, он может быть выключен не только шунтированием n+p-эмиттера внешним МОП-транзистором, но и путем запирания импульсом тока управления, а также в режиме каскадного выключения. В этих режимах существенно возрастает предельное значение выключаемого тока.

Доп.точки доступа:
Грехов, И. В.; Костина, Л. С.; Рожков, А. В.; Зитта, Н. Ф.; Матвеев, В. И.

Найти похожие

Горбатюк, А. В.
N-S-переход на неизотермических характеристиках высоковольтных диодов и тиристоров [Текст] / А. В. Горбатюк, К. В. Игумнов // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 3. - С. 58-65

УДК

^a530.1

10.

Горбатюк, А. В.
Аналитическая модель запираемого тиристора с немонотонным оттеснением остаточной плазмы [Текст] / А. В. Горбатюк // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 5. - С. 54-62

УДК

^a533.9

ББК 22.333
Рубрики: Физика
Электронные и ионные явления. Физика плазмы
Кл.слова (ненормированные):
остаточная плазма -- динамические поля -- силовые микросхемы -- тиристоры
Аннотация: Предложена модель механизма обратного восстановления запираемого тиристора, учитывающая диффузионное сглаживание и возможную немонотонность движения границы между остаточной плазмой и блокирующим полевым доменом в слаболегированной базе.

Найти похожие

1-10 11-19

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)