Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=оптическое пропускание<.>)

Общее количество найденных документов : 21
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-21 21-21

539.2
А 496

Алешина, Л. А.
Исследование распыления шунгитов с помощью дугового разряда [Текст] / Л. А. Алешина, В. И. Подгорный, Г. Б. Стефанович, А. Д. Фофанов // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 9. - Библиогр.: c. 46 (9 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
графит -- дуговые разряды -- оптическое пропускание -- распыление шунгитов -- сажи -- фуллерены -- шунгиты
Аннотация: Показана возможность модификации структуры шунгитов за счет обработки их в дуговом разряде в среде инертного газа. Обнаружено, что непосредственное воздействие дуги проводит к локальному превращению части материала шунгита в графит ромбоэдрической модификации. Проведены измерения спектральной зависимости оптического пропускания растворов саж графита и шунгита в толуоле. На рентгенограммах сажей шунгита и графита в области малых углов рассеяния обнаружен широкий максимум, указывающий на присутствие в них молекул фуллеренов.

Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/09/page-43.html.ru

Доп.точки доступа:
Подгорный, В. И.; Стефанович, Г. Б.; Фофанов, А. Д.

Найти похожие

539.2
К 181

Камзина, Л. С.
Оптические исследования долговременной релаксации в твердых растворах Pb[0. 94]Ba[0. 06]Sc[0. 5]Nb[0. 5]O[3] (PBSN-6 [Текст] / Л. С. Камзина, авт. И. П. Раевский // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 2. - С. 297-302. - Библиогр.: с. 301-302 (16 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
долговременная релаксация -- твердые растворы -- диэлектрическая проницаемость -- двупреломление -- оптическое пропускание -- малоугловое рассеяние света
Аннотация: В монокристаллах релаксора Pb[0. 94]Ba[0. 06]Sc[0. 5]Nb[0. 5]O[3] (PBSN-6) в гетерофазной области сосуществования разных фаз исследованы температурные зависимости диэлектрической проницаемости, двупреломления, оптического пропускания и малоуглового рассеяния света и их изменения со временем. Показано, что в электрическом поле происходит индуцированный фазовый переход в сегнетоэлектрическое состояние, который проявляется через некоторое время (время задержки тау) после приложения к кристаллу электрического поля. Обнаруженная зависимость от температуры этого перехода от скорости нагрева образца, а также изменения двупреломления и интенсивности малоуглового рассеяния света со временем подтверждают кинетический характер индуцированного перехода. Построены температурные зависимости времени задержки тау при разных электрических полях. Обнаружено, что при низких температурах величина тау уменьшается с повышением температуры, что согласуется с поведением тау в классических релаксорах. Однако в области температуры Фогеля-Фулчера наблюдается изменение знака dтау/dT и увеличение тау с дальнейшим повышением температуры. Такое аномальное поведение тау в гетерофазной области объясняется сосуществованием кубической релаксорной и ромбоэдрической макродоменной фаз.

Доп.точки доступа:
Раевский, И. П.

Найти похожие

Сафонов, В. В.
Стеклообразование в системе Li[2]O. Ta[2]O[5]. TeO[2] [Текст] / В. В. Сафонов, В. Н. Цыганков // Журнал неорганической химии. - 2007. - Т. 52, N 12. - С. 2108-2110 : рис. - Библиогр.: с. 2110 (26 назв. ) . - ISSN 0044-457X

УДК

^a541

ББК 24.1
Рубрики: Химия
Общая химия. Теоретическая химия
Кл.слова (ненормированные):
ик-спектры -- электрофизические характеристики -- стеклообразование -- кристаллические материалы -- стекла -- электросопротивление -- оптическое пропускание -- светофильтры -- теллуритные материалы
Аннотация: В системе оксид лития-оксид тантала (IV) -оксид теллура (IV) определены границы области существования стекол. Изучены физические и спектральные свойства стекол и кристаллических материалов.

Доп.точки доступа:
Цыганков, В. Н.

Найти похожие

Ордин, С. В.
Оптические и диэлектрические характеристики окисла редкоземельного металла Lu[2]O[3] [Текст] / С. В. Ордин, А. И. Шелых // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 5. - С. 584-589 : ил. - Библиогр.: с. 589 (24 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
редкоземельные металлы -- РЗМ -- окислы -- Lu[2]O[3] -- оптические характеристики -- диэлектрические характеристики -- дефекты -- анионные вакансии -- оптическое пропускание -- спектры оптического пропускания -- электропроводность -- изолятор–полупроводник -- диэлектрическая проницаемость -- поляризация -- решеточные колебания -- температурная зависимость
Аннотация: Исследованы характеристики окисла Lu[2]O[3] и их изменения, вызванные дефектностью состава. Дефектами являются анионные вакансии, которые возникают при частичном восстановлении окисла. Они проявляют особенности, характерные для квантовых объектов, и существенно влияют на спектр оптического пропускания, характер электропроводности (изолятор-полупроводник) и на порядок величины диэлектрической проницаемости varepsilon (11. 2->125). Рассмотрены особенности структуры вакансий в окислах и исследовано их влияние на поляризацию, электропроводность и решеточные колебания. Исследования проводились в диапазонах температур 200-900 K, длин волн 0. 03-50 мкм, частот тока 10{2}-10{5} Гц. Интерес в микроэлектронике к окислам редкоземельных металлов вызван их большей в несколько раз по сравнению с SiO[2] диэлектрической проницаемостью и тем самым перспективностью замены этими окислами SiO[2].

Доп.точки доступа:
Шелых, А. И.

Найти похожие

Романов, С. Г.
Поляризационная анизотропия оптического пропускания в опалах и Лэнгмюр-Блоджетт-кристаллах [Текст] / С. Г. Романов, M. Bardosova // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 3. - С. 495-504. - Библиогр.: с. 503-504 (35 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
поляризационная анизотропия -- оптическое пропускание -- опалы -- Лэнгмюр-Блоджетт-кристаллы -- кристаллы-Лэнгмюр-Блоджетт -- угловая дисперсия полос -- фотонные кристаллы
Аннотация: В линейно поляризованном свете измерены спектры пропускания тонкопленочных коллоидных фотонных кристаллов с трехмерной и одномерно--двумерной фотонной энергетической структурой, а именно опалов и Лэнгмюр--Блоджетт-кристаллов с контрастом показателя преломления около 1. 5: 1. Показано, что поляризационная анизотропия в прошедшем через кристалл свете однозначно связана с дифракционным резонансом, а степень поляризации может превышать 90%. Найдено, что большую степень поляризации обеспечивают те решетки, которые имеют меньшую величину ослабления света, поляризованного в плоскости падения. Обнаружено, что дифракционные резонансы от кристаллических плоскостей, дисперсии которых входят в антикроссинг с дисперсией ростовых плоскостей, приобретают одинаковую величину анизотропии. Общий характер полученных результатов подтверждается тем, что поляризационная анизотропия имеет одинаковое проявление в коллоидных кристаллах, обладающих различной симметрией и упорядоченностью решетки.

Доп.точки доступа:
Bardosova, M.

Найти похожие

Романов, С. Г.
Особенности поляризационной анизотропии в оптическом отражении и пропускании коллоидных фотонных кристаллов [Текст] / С. Г. Романов // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 4. - С. 788-797. - Библиогр.: с. 797-798 (34 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
поляризационная анизотропия -- анизотропия -- оптическое пропускание -- коллоидные фотонные кристаллы -- фотонные кристаллы -- спектры пропускания -- спектры отражения
Аннотация: В линейно поляризованном свете измерены спектры пропускания и отражения коллоидных фотонных кристаллов с трехмерной и одномерно-двумерной фотонной энергетической структурой, а именно пленок опалов и Лэнгмюр--Блоджетт-кристаллов с контрастом показателя преломления примерно1. 5 : 1. Показано, что поляризационная анизотропия значительно усилена в области дифракционных резонансов как в прошедшем, так и в отраженном свете, а величина анизотропии в области резонанса может превышать 99%. Обнаружено влияние взаимодействия собственных мод фотонного кристалла на величину поляризационной анизотропии. Сделано предположение, что совпадение максимумов поляризационной анизотропии резонансного и нерезонансного отражения света в коллоидных кристаллах обусловлено неупорядоченностью их решеток. Общий характер полученных результатов подтвержден одинаковым проявлением поляризационной анизотропии в коллоидных кристаллах с различной симметрией решеток.

Найти похожие

Трехмерная периодическая решетка нанокристаллов ZrO[2] в прозрачной матрице диоксида кремния [Текст] / В. М. Маслов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 4. - С. 740-745. - Библиогр.: с. 745 (21 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
трехмерная периодическая решетка нанокристаллов -- нанокристаллы -- прозрачная матрица диоксида кремния -- диоксид кремния -- спектры фотолюминесценции -- оптическое пропускание -- отражение композитов
Аннотация: Определены условия синтеза нанокомпозита опал-диоксид циркония -углерод в форме монолитного (без пор) прозрачного диоксида кремния с упорядоченным распределением нанокристаллов по всему объему образца. Нанокристаллы ZrO[2] образуют трехмерную периодическую решетку нанокластеров от нескольких nm до нескольких десятков nm. Такой композит проявляет свойства фотонного кристалла. Образцы исследованы методами электронной микроскопии, рентгеновской дифракции, фотолюминесценции и рамановского рассеяния. Установлено структурное состояние и пространственное расположение в композите нанокристаллов диоксида циркония и кластеров углерода. Измерены спектры фотолюминесценции оптического пропускания и отражения композитов.

Доп.точки доступа:
Масалов, В. М.; Жохов, А. А.; Горелик, В. С.; Кудренко, Е. А.; Штейнман, Э. А.; Терещенко, А. Н.; Максимчук, М. Ю.; Баженов, А. В.; Зверькова, И. И.; Емельченко, Г. А.

Найти похожие

535.2/.3
О-754

Особенности оптического отклика гибридно-ориентированных ячеек с двухчастотным нематическим жидким кристаллом [Текст] / Е. А. Коншина [и др.] // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 5. - С. 66-70. - Библиогр.: c. 70 (10 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

535.2/.3

ББК 22.343
Рубрики: Физика
Физическая оптика
Кл.слова (ненормированные):
оптический отклик -- бистабильный оптический отклик -- жидкие кристаллы -- нематичекие жидкие кристаллы -- гибридно-ориентированные ячейки -- управляющие электрические поля -- ангармонические колебания -- оптическое пропускание -- твист-ячейки
Аннотация: Исследованы гибридно-ориентированные ячейки с двухчастотным нематическим жидким кристаллом и влияние на их оптический отклик параметров управляющих электрических полей. Обнаружено, что в отличие от обычных нематических твист-ячеек ангармонические колебания оптического пропускания наблюдались в них в период между переключением НЧ- и ВЧ-напряжений. Получен бистабильный оптический отклик V-образной формы в результате поледовательного приложения в твист-ячейке электрических полей в форме синусоидальных колебаний с частотами 1 и 30 kHz. Время реакции при толщине слоя жидкого кристалла 8 mum и напряжении 50 V составило 10 ms. У гибрдино-ориентированной твист-ячейки с большим начальным углом наклона директора около 70{o} оптический отклик V-образной формы наблюдался при переключении из наклонного гомеотропного состояния в твист-состояние с помощью поля с частотой 30 kHz. Восстановление первоначальной структуры слоя происходило в результате естественной упругой релаксации, а время реакции увеличилось приблизительно в 4 раза.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/05/p66-70.pdf

Доп.точки доступа:
Коншина, Е. А.; Вакулин, Д. А.; Иванова, Н. Л.; Гавриш, Е. О.; Васильев, В. Н.

Найти похожие

537.311.33
П 764

Применение алмазоподобных углеродных пленок для просветления кристаллов полуизолирующего GaAs в ИК-области спектра [Текст] / Н. И. Клюй [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 13. - С. 27-34 : ил. - Библиогр.: с. 34 (15 назв.) . - ISSN 0320-0116

УДК

537.311.33

621.375

ББК 22.379 + 32.86
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков
   Радиоэлектроника
   Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
углеродные пленки -- алмазоподобные пленки -- алмазоподобные углеродные пленки -- АУП -- применение пленок -- осаждение пленок -- кристаллы -- пропускание кристаллов -- просветление кристаллов -- арсенид галлия -- полуизолирующий арсенид галлия -- спектры -- ИК-области спектра -- плазма -- исследования -- предварительная обработка -- плазменная обработка -- оптическое пропускание -- различные газы
Аннотация: Проведено исследование влияния обработок в плазме различных газов и последующего осаждения алмазоподобных углеродных пленок (АУП) на пропускание кристаллов полуизолирующего GaAs в ИК-области спектра. Показано, что осаждение АУП толщиной 1-1. 5 mum позволяет увеличить пропускание GaAs в диапазоне 4-15 mum, причем предварительная обработка в плазме H{+} или Ar{+} увеличивает оптическое пропускание структуры АУП-GaAs. Предложен механизм, объясняющий влияние плазменной обработки на оптическое пропускание полуизолирующего GaAs в ИК-области спектра.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/13/p27-34.pdf

Доп.точки доступа:
Клюй, Н. И.; Липтуга, А. И.; Лозинский, В. Б.; Лукьянов, А. Н.; Оксанич, А. П.; Тербан, В. А.

Найти похожие

10.

537.311.33
П 429

Повышение деградационной стойкости кристаллов полуизолирующего арсенида галлия плазменными обработками [Текст] / Н. И. Клюй [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 22. - С. 28-34 : ил. - Библиогр.: с. 34 (9 назв.) . - ISSN 0320-0116

УДК

537.311.33

539.21:534

ББК 22.379 + 22.372
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Механические и акустические свойства монокристаллов
Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- деградационная стойкость -- арсенид галлия -- полуизолирующий арсенид галлия -- GaAs -- водород -- плазма -- плазменная обработка -- термическая обработка -- электромагнитные поля -- высокочастотные поля -- излучения -- ИК-излучения -- инфракрасные излучения -- спектры пропускания -- спектральные интервалы -- комнатная температура -- ВЧ-облучение -- высокочастотное облучение -- оптическое пропускание -- ИК-области -- инфракрасные области -- приповерхностные области -- механические напряжения -- внутренние напряжения -- релаксация напряжений
Аннотация: Исследование влияния обработки в плазме водорода на деградационную стойкость кристаллов полуизолирующего GaAs к воздействию высокочастотного электромагнитного поля и термическим обработкам. Спектры пропускания ИК-излучения образцов GaAs исследовались в спектральном интервале 5-15 mum при комнатной температуре. Показано, что пропускание кристаллов, прошедших обработку в плазме водорода, при последующем ВЧ-облучении не только не падало, как это наблюдалось для необработанного кристалла, но даже увеличивалось по сравнению с исходным кристаллом. Предложен механизм, объясняющий влияние обработки в плазме водорода на деградационную стойкость кристаллов и оптическое пропускание полуизолирующего GaAs в ИК-области и учитывающий релаксацию внутренних механических напряжений в приповерхностной области кристалла вследствие плазменной обработки.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/22/p28-34.pdf

Доп.точки доступа:
Клюй, Н. И.; Липтуга, А. И.; Лозинский, В. Б.; Оксанич, А. П.; Тербан, В. А.; Фомовский, Ф. В.

Найти похожие

1-10 11-21 21-21

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)