Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=оксид олова<.>)

Общее количество найденных документов : 10
Показаны документы с 1 по 10

Рябцев, С. В.
Морфология нанокристаллов оксида олова, полученных методом газотранспортного синтеза [Текст] / С. В. Рябцев, Н. М. А. Хадия, Э. П. Домашевская // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 12. - С. 1-7 : ил. - Библиогр.: с. 7 (7 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

^a536.42

ББК 22.375
Рубрики: Физика
Термодинамика твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
технологические режимы -- олово -- оксид олова -- нанокристаллы -- морфология нанокристаллов -- газотранспортный синтез -- метод газотранспортного синтеза -- нитевидные нанокристаллы -- газ -- степень пресыщения -- рост кристаллов -- кристаллы -- фракталоподобные кристаллы -- монокристаллы -- объемные монокристаллы -- лентовидные кристаллы
Аннотация: Обсуждаются технологические режимы газотранспортного синтеза нитевидных нанокристаллов оксида олова. Экспериментально установлена зависимость морфологии кристаллов SnO[2] от состава исходной шихты, состава газа-носителя и степени пресыщения парообразного материала в зоне роста кристаллов. В результате газотранспортного синтеза были получены фракталоподобные, объемные монокристаллы, лентовидные и нитевидные кристаллы с диаметром нитей от 1000 до 50 nm.

Доп.точки доступа:
Хадия, Н. М. А.; Домашевская, Э. П.

Найти похожие

Отражающий p-контакт на основе тонких пленок ITO для флип-чип светодиодов AlGaInN [Текст] / Л. К. Марков [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 11. - С. 1564-1569 : ил. - Библиогр.: с. 1568-1569 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
пленки -- тонкие пленки -- оксид индия -- оксид олова -- ITO -- электронно-лучевое напыление -- метод электронно-лучевого напыления -- отражающий p-контакт -- светодиоды -- флип-чип светодиоды -- коэффициент отражения контакта -- квантовая эффективность -- кристаллы -- светоизлучающие кристаллы -- удельное сопротивление -- напряжение -- электрические характеристики -- оптические характеристики -- p-контакт
Аннотация: Методом электронно-лучевого напыления тонких пленок оксида индия и олова (ITO) был получен отражающий контакт к слою p-GaN, используемый при создании синих флип-чип светодиодов. Высокий коэффициент отражения контакта, превосходящий коэффициент отражения контакта на основе Ni/Ag, обеспечивает прирост внешней квантовой эффективности светоизлучающих кристаллов на 15-20%. Прямые падения напряжения для кристаллов с контактом ITO (5 нм) /Ag (220 нм) сравнимы с аналогичными величинами для кристаллов с контактом Ni (1. 5 нм) /Ag (220 нм). Удельное сопротивление контакта со слоем ITO составляет 3. 7 x 10{-3} Ом x см{2}. Показано, что для полученных данным методом пленок ITO оптимальные толщины, обеспечивающие наилучшие электрические и оптические характеристики кристаллов, лежат в диапазоне 2. 5-5. 0 нм.

Доп.точки доступа:
Марков, Л. К.; Смирнова, И. П.; Павлюченко, А. С.; Аракчеева, Е. М.; Кулагина, М. М.

Найти похожие

Исследование термической стабильности нанокристаллических SnO2, ZrO2 и SiC для полупроводниковых и термокаталитических газовых сенсоров [Текст] / Р. Г. Павелко [и др. ] // Электрохимия. - 2009. - Т. 45, N 4. - С. 500-506 : 2 табл., 5 рис. - Библиогр.: с. 506 . - ISSN 0424-8570

УДК

^a541.6

ББК 24.7
Рубрики: Химия
Химия высокомолекулярных соединений
Кл.слова (ненормированные):
термическая стабильность -- газовые сенсоры -- оксид олова -- оксид циркония -- карбид кремния
Аннотация: Работа посвящена исследованию и сравнению термической стабильности нанопорошков SnO2, ZrO2, SiC. Проведена оценка скорости роста кристаллитов во время изотермического отжига материалов при 700 градусС в течение 30 ч. Средний размер кристаллитов определялся по данным рентгенофазового анализа методом Шеррера. Для синтезированных SnO2 и ZrO2 исследовано влияние содержания примесей на кинетику роста кристаллитов. На основе синтезированных и коммерческих материалов изготовлены полупроводниковые и термокаталитические сенсоры. Проведено сравнение долговременной стабильности сигналов сенсоров с данными по термической стабильности нанопорошков.

Доп.точки доступа:
Павелко, Р. Г.; Васильев, А. А.; Севастьянов, В. Г.; Гиспет-Гирадо, Ф.; Виланова, Ч.; Кузнецов, Н. Т.

Найти похожие

Гулина, Л. Б.
Слои нанокомпозита Ag[x]-SnO[2], синтезированные методом ионного наслаивания на поверхности кремнезема [Текст] / Л. Б. Гулина, В. П. Толстой, Е. В. Толстобров // Журнал прикладной химии. - 2010. - Т. 83, вып: вып. 9. - С. 1424-1427. - Библиогр.: c. 1427 (19 назв. ) . - ISSN 0044-4618

УДК

^a544.72

ББК 24.58
Рубрики: Химия
Физическая химия поверхностных явлений
Кл.слова (ненормированные):
благородные металлы -- кремнезем -- метод ионного наслаивания -- нанокомпозиты -- оксид олова -- проводящие покрытия -- серебро -- электрофизические характеристики
Аннотация: Исследована возможность синтеза методом ионного наслаивания на поверхности кремнезема слоев нанокомпозита и определены факторы, влияющие на морфологию и состав слоя.

Доп.точки доступа:
Толстой, В. П.; Толстобров, Е. В.

Найти похожие

536.42
И 889

Исследование слоев нанокомпозита пористый кремний-оксид олова с помощью метода спектральной эллипсометрии [Текст] / В. В. Болотов [и др.] // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 11. - С. 52-57. - Библиогр.: c. 57 (8 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

536.42

ББК 22.375
Рубрики: Физика
Термодинамика твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
нанокомпозиты -- пористый кремний -- оксид олова -- спектральная эллипсометрия -- химическое парофазное осаждение -- молекулярное наслаивание -- магнетронное распыление
Аннотация: С помощью метода спектральной эллипсометрии исследовано послойное распределение компонентов в нанокомпозите пористый кремний-оксид олова, полученном тремя методами: химического парофазного осаждения, молекулярного наслаивания и магнетронного распыления. Показано, что в нанокомпозитах, сформированных данными методами, SnO[x] проникает на глубину более 400 nm и неравномерно распределяется по толщине пористого слоя. Наибольшей глубиной проникновения и однородностью послойного распределения SnO[x] характеризуется нанокомпозит, полученный по методу магнетронного распыления с дополнительной термообработкой.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/11/p52-57.pdf

Доп.точки доступа:
Болотов, В. В.; Давлеткильдеев, Н. А.; Коротенко, А. А.; Росликов, В. Е.; Стенькин, Ю. А.

Найти похожие

543.2
С 314

Сенсорные свойства нанокомпозитных оксидов SnO[2] In[2]O[3] при детектировании водорода в воздухе [Текст] / Т. В. Белышева [и др.] // Журнал физической химии. - 2010. - Т. 84, N 12. - С. 2312-2318. - Библиогр.: c. 2318 (24 назв. ) . - ISSN 0044-4537

УДК

543.2

ББК 24.43
Рубрики: Химия
Химические методы анализа
Кл.слова (ненормированные):
водород -- детектирование водорода -- нанокомпозитные оксиды -- оксид индия -- оксид олова -- поликристаллические пленки -- релаксация сенсоров -- сенсорные свойства
Аннотация: Изучены сенсорные свойства поликристаллических пленок SnO[2] In[2]O[3] различного состава при детектировании 2% водорода в воздухе в интервале температур от 330 до 530 С.

Доп.точки доступа:
Белышева, Т. В.; Спиридонова, Е. Ю.; Громов, В. Ф.; Герасимов, Г. Н.; Трахтенберг, Л. И.

Найти похожие

535.2/.3
Ж 914

Журбина, И. А.
Оптическая генерация свободных носителей заряда в тонких пленках оксида олова [Текст] / И. А. Журбина, О. И. Цетлин, В. Ю. Тимошенко // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 2. - С. 241-244 : ил. - Библиогр.: с. 244 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

535.2/.3^V3

ББК 22.343
Рубрики: Физика
Физическая оптика
Кл.слова (ненормированные):
оптическая генерация -- свободные носители заряда -- тонкие пленки -- оксид олова -- инфракрасная спектроскопия поглощения -- метод инфракрасной спектроскопии поглощения -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- нанокристаллические пленки -- пленки -- термическое окисление слоев -- комнатная температура -- длина волны -- оптические свойства -- электроны -- нанокристаллы -- модель Друде -- Друде модель -- фотогенерация -- газовые сенсоры
Аннотация: Методами инфракрасной спектроскопии поглощения и комбинационного рассеяния света исследованы нанокристаллические пленки SnO[x] (1< x< 2), полученные термическим окислением слоев металлического олова. В инфракрасном диапазоне обнаружено монотонное уменьшение пропускания пленок после воздействия на них при комнатной температуре светом с длиной волны 380 нм. Эффект был максимальным для образцов с x~2 и наблюдался в течение ~10 мин после прекращения освещения. Указанные изменения оптических свойств, аналогичные наблюдаемым при нагреве образцов, объясняются увеличением концентрации свободных носителей заряда (электронов) в нанокристаллах диоксида олова. Из данных инфракрасной спектроскопии по модели Друде рассчитаны концентрации фотогенерируемых носителей заряда, они составили ~10{19} см{-3}, а также найдены их изменения в процессе освещения и после его прекращения. Обсуждаются механизмы наблюдаемой фотогенерации носителей заряда в пленках SnO[x], а также возможные применения данного эффекта в газовых сенсорах.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/02/p241-244.pdf

Доп.точки доступа:
Цетлин, О. И.; Тимошенко, В. Ю.

Найти похожие

621.315.592
П 535

Получение слоев нанокомпозита por-Si/SnO[x] для газовых микро- и наносенсоров [Текст] / В. В. Болотов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 5. - С. 702-707 : ил. - Библиогр.: с. 707 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
пористый кремний -- оксид олова -- нанокомпозиты -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- электронная оже-спектроскопия -- ЭОС -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия -- РФЭС -- магнетотронное распыление -- парогазовая фаза -- ПГФ -- молекулярное наслаивание -- МН -- газочувствительные свойства
Аннотация: Слои гетерофазных нанокомпозитов, основанных на пористом кремнии и нестехиометрическом оксиде олова, получены различными методами. Структура, элементный и фазовый состав полученных нанокомпозитов исследованы с помощью просвечивающей и сканирующей электронной микроскопии, спектроскопии комбинационного рассеяния света, электронной оже-спектроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Полученные данные подтверждают формирование нанокомпозитных слоев с толщиной до 2 мкм и коэффициентом стехиометрии SnO[x] x=1. 0-2. 0. При термообработках 770 K наблюдалась значительная диффузия олова в матрицу пористого кремния с Deff~ 10{-14} см{2}/c. Тестовые сенсорные структуры, сформированные на основе слоев нанокомпозита por-Si/SnO[x], полученных с использованием магнетронного напыления, показали достаточно высокую стабильность свойств и чувствительность к NO[2].

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/05/p702-707.pdf

Доп.точки доступа:
Болотов, В. В.; Корусенко, М. П.; Несов, С. Н.; Поворознюк, С. Н.; Росликов, В. Е.; Курдюкова, Е. А.; Стенькин, Ю. А.; Шелягин, Р. В.; Князев, Е. В.; Кан, В. Е.; Пономарева, И. В.

Найти похожие

621.7
О-627

Оптимизация технологии нанесения тонких пленок ITO, применяемых в качестве прозрачных проводящих контактов светодиодов синего и ближнего ультрафиолетового диапазонов / И. П. Смирнова [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 1. - С. 61-66 : ил. - Библиогр.: с. 65-66 (20 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.7

621.315.592

ББК 30.68 + 31.233
Рубрики: Техника
   Обработка материалов
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
структурные свойства -- оптические свойства -- электрические свойства -- свойства пленок -- тонкие пленки -- оксид индия -- оксид олова -- InO -- ITO -- электронно-лучевое испарение -- магнетронное напыление -- электронно-лучевые пленки -- проводимость -- метод магнетронного напыления -- светодиоды -- ультрафиолетовые диапазоны
Аннотация: Исследованы структурные, оптические и электрические свойства пленок оксида индия и олова (ITO), полученных электронно-лучевым испарением, магнетронным напылением и комбинированным способом. Показано, что, несмотря на высокую прозрачность электронно-лучевых пленок ITO в видимом диапазоне, их проводимость и показатель преломления заметно ниже аналогичных параметров для пленок ITO, полученных методом магнетронного напыления. Разработана технология создания двухслойных систем способом, комбинирующим эти два метода нанесения. В результате получены пленки, которые обладают преимуществами магнетронных слоев и могут быть применены в качестве контактных слоев к области p-GaN в светодиодах синего и ближнего ультрафиолетового диапазонов.
We studied structural, optical, and electrical properties of indium tin oxide (ITO) films obtained by the electron-beam evaporation, magnetron sputtering and combine method. It is shown that in spite of high transmittance of the electron-beam ITO films in the visible range, their conductivity and refractive index are appreciably lower than that for the ITO films obtained by magnetron sputtering. A fabrication technique combining these two deposition methods has been developed to form two-layered systems. As a result, we obtained the films, which have the advantages of magnetron sputtered layers and can be applied as contacts to p-GaN in the blue and near ultraviolet LEDs.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/01/p61-66.pdf

Доп.точки доступа:
Смирнова, И. П.; Марков, Л. К.; Павлюченко, А. С.; Кукушкин, М. В.; Павлов, С. И.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); НТЦ микроэлектроники Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург)НТЦ микроэлектроники Российской академии наук (Санкт-Петербург); НТЦ микроэлектроники Российской академии наук (Санкт-Петербург); НТЦ микроэлектроники Российской академии наук (Санкт-Петербург); ЗАО Инновационная фирма "ТЕТИС" (Санкт-Петербург)

Найти похожие

10.

536.22/.23
П 535

Получение двухслойных структур "композит на изоляторе" на основе пористого кремния и SnO[x], исследование их электрофизических и газочувствительных свойств / В. В. Болотов [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 3. - С. 412-416 : ил. - Библиогр.: с. 416 (20 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

536.22/.23

621.315.592

ББК 22.365 + 31.233
Рубрики: Физика
   Газы и жидкости
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
многослойные сенсорные структуры -- структуры -- композит на изоляторе -- монокристаллический кремний -- кремний -- пористый кремний -- электрофизические свойства -- газочувствительные свойства -- парогазовые фазы -- оксид олова -- газовая чувствительность -- композитные структуры -- комнатная температура
Аннотация: Экспериментальные образцы полупроводниковых гетероструктур cо слоями GaP[1-x]N[x] и квантовыми ямами In[1-x-y]GaP[y]N[x] и GaP[y]N[x]As[1-x-y] синтезированы методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaP (001). В ходе выполнения работы методом рентгеновской дифракции исследовались структурные свойства образцов и определялась мольная доля азота x в слоях GaP[1-x]N[x]. Для сопоставления структурных и оптических свойств образцов были проведены исследования фотолюминесценции эпитаксиальных слоев GaP[1-x]N[x] и гетероструктур с квантовыми ямами InGaPN и GaPAsN с барьерными слоями GaPN. Результаты исследования образцов GaP[1-x]N[x] методами фотолюминесценции и рентгеновской дифракции сравниваются со значениями параметров образцов, рассчитанными с использованием модели гибридизации зон ("band anticrossing model" или BAC-модель). На основе результатов экспериментов и расчетов, выполненных в настоящей работе, мы приходим к выводу, что параметр гибридизации не является постоянной величиной, а зависит от мольной доли азота.
The experimental samples of semiconductor heterostructures with GaP[1-x]N[x] layers and InGaPN and GaPNAs quantum wells were grown by molecular-beam epitaxy on GaP (001) substrates. In the course of the work, structural properties were investigated and mole fraction x in GaP[1-x]N[x] layers were determined by high-resolution X-ray diffraction. To compare the structural and optical properties of samples, the photoluminescence of GaP[1-x]Nx epitaxial layers and heterostructures with InGaPN and GaPNAs quantum wells with GaPN barrier layers were studied. Results of the study of GaP[1-x]Nx samples by photoluminescence and high-resolution X-ray diffraction were compared with values, calculated using band anticrossing model (BAC-model). Based on results of experiments and calculations performed in this study we conclude that the coupling parameter is not constant but depends on the mole fraction of nitrogen.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/03/p412-416.pdf

Доп.точки доступа:
Болотов, В. В.; Росликов, В. Е.; Росликова, Е. А.; Ивлев, К. Е.; Князев, Е. В.; Давлеткильдеев, Н. А.; Омский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук; Омский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук; Омский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук; Омский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук; Омский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук; Омский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)