539.2 И 889 Исследование постростового процесса изготовления квантовых каскадных лазеров / В. В. Мамутин [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 8. - С. 1132-1137 : ил. - Библиогр.: с. 1136-1137 (22 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): каскадные лазеры -- высокоомные материалы -- фосфид индия -- InP -- фотолитография -- химическое травление -- теплоотвод -- оптические переходы Аннотация: Исследован процесс специальной постростовой обработки структур для квантовых каскадных лазеров, включающий в себя заращивание высокоомным материалом - фосфидом индия с концентрацией носителей n приблизительно равно 5·10{10} см{-3}, фотолитографию с применением различных химических жидкостных травителей и создание специальных контактов для обеспечения повышенного теплоотвода. Использование модифицированного процесса постростовой обработки позволяет достичь необходимых параметров, удовлетворяющих требования к высококачественным приборам. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/08/p1132-1137.pdf Доп.точки доступа: Мамутин, В. В.; Ильинская, Н. Д.; Бедарев, Д. А.; Левин, Р. В.; Пушный, Б. В.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург) |