539.2 Р 680 Роль атомов самария в формировании структуры халькогенидных стеклообразных полупроводников As-Se-S / Р. И. Алекберов [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 6. - С. 818-822 : ил. - Библиогр.: с. 821 (34 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): самарий -- Sm -- халькогениды -- стеклообразные полупроводники -- комбинационное рассеяние -- рассеяние света -- легирование самарием -- химическая активность Аннотация: Исследованы спектры комбинационного рассеяния света в пленках трехкомпонентных халькогенидных стеклообразных полупроводников As-Se-S, легированных самарием. Показано, что спектры КРС состоят из четырех полос, охватывающих интервалы частот 10-100, 195-290, 290-404, 420-507 см{-1} и сильно изменяющихся легированием. Установлены структурные единицы в As-Se-S и их возможные изменения при легировании. Полученные результаты объясняются исходя из особенностей распределения атомов самария в образце и их химической активностью. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/06/p818-822.pdf Доп.точки доступа: Алекберов, Р. И.; Исаев, А. И.; Мехтиева, С. И.; Исаева, Г. А.; Институт физики им. Г. М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана (Баку); Институт физики им. Г. М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана (Баку); Институт физики им. Г. М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана (Баку); Институт физики им. Г. М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана (Баку) |