539.2 Ф 815 Фотоэлектрические преобразователи с варизонными слоями на основе ZnSe / Ю. Н. Бобренко [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 10. - С. 1381-1384 : ил. - Библиогр.: с. 1384 (25 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): поликристаллические слои -- подложки -- вариозные слои -- выращивание селенида цинка -- селенид цинка -- ZnSe -- структурные дефекты -- решетки -- эпитаксиальные слои -- точечные дефекты -- рекомбинационные потери -- фотоносители -- границы раздела -- фотоэлектрические преобразователи -- ФП -- поверхностно-барьерные преобразователи Аннотация: В качестве подложки для эпитаксиального выращивания ZnSe используются ориентированные поликристаллические слои CdSe. Для исключения механизма образования структурных дефектов, связанных с рассогласованием постоянных решеток активного эпитаксиального слоя и материала подложки, выращивался промежуточный варизонный слой Cd[x]Zn[1-x]Se. В такой структуре прорaстание точечных дефектов донорного типа из подложки в наращиваемые слои приводит к образованию низкоомного слоя ZnSe. На ZnSe наносился барьерообразующий слой p-Cu[1. 8]S. Для уменьшения рекомбинационных потерь фотоносителей на границе раздела поверхностно-барьерного преобразователя p-Cu[1. 8]S-n-ZnSe предложен и реализован вариант дополнительного встраивания тонкого варизонного слоя в область объемного заряда фотопреобразователя. We used oriented polycrystalline CdSe layers as substrates for epitaxial growth of ZnSe. To exclude formation of structural defects related to misfit of the lattice constants between the active epitaxial layer and the substrate material, a graded-gap Cd[x]Zn[1-x] Se interlayer was grown. In that structure, intergrowth of donor-type point defects from the substrate to the growing layers leads to appearance of a low-resistance ZnSe layer. A barrierforming p-Cu[1. 8]S layer was deposited onto ZnSe. To reduce recombination losses of photocarriers at the p-Cu[1. 8]S-n-ZnSe interface of surface-barrier converter, we proposed and realized application of an additional thin graded-gap layer built in the spacecharge region of the photoelectric converter. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/10/p1381-1384.pdf Доп.точки доступа: Бобренко, Ю. Н.; Павелец, С. Ю.; Павелец, А. М.; Ярошенко, Н. В.; Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины; Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины; Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины; Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины |