535.33 Э 455 Электрофизические и оптические свойства приповерхностных квантовых ям AlGaAs/InGaAs/AlGaAs c различной глубиной залегания / Р. А. Хабибуллин [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 9. - С. 1215-1220 : ил. - Библиогр.: с. 1219-1220 (17 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Спектроскопия Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электрофизические свойства -- оптические свойства -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- гетероструктуры -- квантовые ямы -- КЯ -- двумерные электроны -- электроны -- спектроскопия фотоотражения -- фотоотражение -- ФО -- спектры фотоотражения -- электрические поля -- напряженность поля -- зонные структуры -- барьерные слои -- фотолюминесценция -- спектры фотолюминесценции -- подвижность электронов -- диффузия -- сегрегация Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращена серия гетероструктур с разной глубиной залегания квантовой ямы и приблизительно одинаковой концентрацией двумерных электронов. На основании данных спектроскопии фотоотражения относительно напряженности встроенного электрического поля в образцах проведен расчет зонной структуры для области квантовой ямы. Обнаружено, что максимальная подвижность двумерных электронов mu[e] достигается в образце с толщиной барьерного слоя L[b]=11 нм. Из спектров фотолюминесценции и расчетов зонной структуры образцов установлено, что при приближении квантовой ямы к поверхности происходит пространственное уширение профиля легирования из-за процессов диффузии и сегрегации. Объяснена немонотонность зависимости mu[e] от глубины залегания квантовой ямы. The series of AlGaAs/InGaAs/AlGaAs heterostructures with different distances between the surface and quantum well and approximately the same concentration of electrons have been grown by means of molecular-beam epitaxy. The built-in electric field was estimated from the photo reflectance data. The band structures of samples under investigation have been calculated. It is established that maximum of carrier mobility mu[e] is achieved in the sample with the barrier thickness L[b] = 11 nm. From the photoluminescence measurements and the band structure calculation it is shown that the broadening of doping profile is connected with the diminution of the distance between the surface and the quantum well due to diffusion and segregation. The non monotonous dependence of mu[e] from the distance between the surface and the quantum well has been explained. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/09/p1215-1220.pdf Доп.точки доступа: Хабибуллин, Р. А.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Пономарев, Д. С.; Васильевский, И. С.; Кульбачинский, В. А.; Боков, П. Ю.; Авакянц, Л. П.; Червяков, А. В.; Мальцев, П. П.; Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (Москва); Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (Москва); Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (Москва); Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (Москва); Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва); Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова |