621.383 С 535 Снижение омических потерь и повышение мощности фотоэлектрических преобразователей на основе антимонида галлия [Текст] / Ф. Ю. Солдатенков [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 9. - С. 1266-1273 : ил. - Библиогр.: с. 1272-1273 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): омические потери -- фотоэлектрические преобразователи -- омические контакты -- фотоэлементы -- TLM -- transmission line model -- антимонид галлия -- метод магнетронного распыления -- магнетронное распыление -- резистивное испарение -- многослойные контактные системы -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- отжиг -- фронтальные поверхности -- удельное сопротивление -- фототоки Аннотация: С использованием методики TLM (transmission line model) с радиальной и прямоугольной геометрией контактных площадок исследованы контактные системы Cr-Au, Cr-Au-Ag-Au, Ti-Pt-Au, Pt-Ti-Pt-Au, Pt-Au, Ti-Au, Ti-Pt-Ag, Ti-Pt-Ag-Au, Pt-Ag, осажденные на поверхность p-GaSb методами магнетронного распыления и резистивного испарения. Установлено, что контактные системы Ti-Pt-Ag-Au и Ti-Pt-Ag характеризуются наиболее низкими значениями удельного переходного контактного сопротивления (rho[c]<10{-6} Ом x см{2}), что позволяет использовать их для создания фотоэлектрических преобразователей, генерирующих фототоки до 15 А/см{2}. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/09/p1266-1273.pdf Доп.точки доступа: Солдатенков, Ф. Ю.; Сорокина, С. В.; Тимошина, Н. Х.; Хвостиков, В. П.; Задиранов, Ю. М.; Растегаева, М. Г.; Усикова, А. А. |