621.315.592 С 873 Структурные и спектральные особенности МОС-гидридных твердых растворов Al[x]Ga[y]In[1-x-y]As[z]P[1-z]/ GaAs(100) [Текст] / П. В. Середин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 6. - С. 739-750 : ил. - Библиогр.: с. 749-750 (16 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): структурные особенности -- твердые растворы -- МОС-гидридные гетероструктуры -- эпитаксиальные гетероструктуры -- рентгеновская дифракция -- метод рентгеновской дифракции -- атомно-силовая микроскопия -- метод атомно-силовой микроскопии -- поверхность гетероструктур -- кристаллические решетки -- рентгеноструктурные исследования -- эпитаксиальные пленки -- фотолюминесценция -- ФЛ Аннотация: Исследовались МОС-гидридные эпитаксиальные гетероструктуры на основе пятикомпонентных твердых растворов Al[x]Ga[y]In[1-x-y]As[z]P[1-z], выращенные в области составов изопериодических GaAs. Методами рентгеновской дифракции и атомно-силовой микроскопии показано, что на поверхности гетероструктур присутствуют наноразмерные объекты, имеющие форму островков, которые могут выстраиваться на поверхности твердого раствора в линейном направлении. На основании расчетов параметров кристаллической решетки с учетом внутренних напряжений можно предположить, что новое соединение является фазой на основе твердого раствора Al[x]Ga[y]In[1-x-y]As[z]P[1-z]. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/06/p739-750.pdf Доп.точки доступа: Середин, П. В.; Глотов, А. В.; Домашевская, Э. П.; Леньшин, А. С.; Смирнов, М. С.; Арсентьев, И. Н.; Винокуров, Д. А.; Станкевич, А. Л.; Тарасов, И. С. |