539.2 Р 397 Рентгеноспектральный микроанализ гетероструктур с наноразмерными слоями [Текст] / Т. Б. Попова [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 2. - С. 263-267 : ил. - Библиогр.: с. 267 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- полупроводниковые гетероструктуры -- наноразмерные слои -- рентгеноструктурный микроанализ -- квантовые ямы -- InGaAs -- ZnCdSe Аннотация: Описана методика рентгеноспектрального микроанализа для диагностики полупроводниковых гетероструктур с наноразмерными слоями. Рассмотрены особенности анализа таких структур по сравнению со слоистыми структурами с большей характерной толщиной слоев и однородными образцами. Возможности метода проиллюстрированы на примере определения состава слоев в светодиодных и лазерных гетероструктурах с квантовыми ямами InGaAs и ZnCdSe. Применение предложенной методики позволило определить состав и глубину залегания наноразмерных слоев квантовых ям в исследованных образцах с точностью не хуже 10%. Приведено сравнение результатов микроанализа с данными других методов, получено хорошее согласие. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/02/p263-267.pdf Доп.точки доступа: Попова, Т. Б.; Бакалейников, Л. А.; Флегонтова, Е. Ю.; Шахмин, А. А.; Заморянская, М. В. |