Фотоэлектрохимические ячейки на монокристаллах In[2]S[3] [Текст] / В. Ю. Рудь [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 4. - С. 445-448
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кристаллизация расплава -- монокристаллы тетрагоной модификации -- фоточувствительность ячеек -- межзонные переходы -- тонкопленочная фотовольтаика -- бинарные полупроводники Аннотация: Методом направленной кристаллизации расплава выращены монокристаллы тетрагональной модификации t-In[2]S[3], на основе которых созданы фоточувствительные ячейки H[2]O/t-In[2]S[3], а также исследованы спектры их квантовой эффективности. Обнаружена широкополосная фоточувствительность ячеек H[2]O/t-In[2]S[3]. На основании спектров фоточувствительности определен характер межзонных переходов и соответствующие им значения ширины запрещенной зоны t-In[2]S[3]. Показана возможность применения кристаллов t-In[2]S[3] в широкополосных фотопреобразователях естественного и поляризованного излучений. Раскрыта связь энергетического спектра с фазовым состоянием кристаллов In[2]S[3]. Доп.точки доступа: Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Боднарь, И. В.; Ушакова, Т. Н. |