Барические свойства квантовых точек InAs [Текст] / Б. В. Новиков [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 9. - С. 1094-1101 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- InAs -- барический коэффициент энергии -- квазинульмерный объект -- модуль Юнга -- Юнга модуль -- коэффициент Пуассона -- Пуассона коэффициент Аннотация: В рамках модели деформационного потенциала рассчитаны барические зависимости энергетической структуры квантовых точек InAs в матрице GaAs. В предположении отсутствия взаимодействия между квантовыми точками, имеющими сферическую форму и одинаковые размеры, найдена зависимость барического коэффициента энергии излучательного перехода в квантовой точке от величины энергии. Подобная зависимость обнаружена также экспериментально в спектрах фотолюминесценции при всестороннем сжатии структур InAs/GaAs. Обсуждаются качественное согласие теории и эксперимента, а также возможные причины их количественного различия. Делается вывод о вкладе в это различие таких факторов, как дисперсия размеров, кулоновское взаимодействие носителей заряда и туннельное взаимодействие квантовых точек. Доп.точки доступа: Новиков, Б. В.; Зегря, Г. Г.; Пелещак, Р. М.; Данькив, О. О.; Гайсин, В. А.; Талалаев, В. Г.; Штром, И. В.; Цырлин, Г. Э. |