621.3 Г 178 Гальчина, Н. А. Спектры электролюминесценции ультрафиолетовых светодиодов на основе p-n-гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN, покрытых люминофорами [Текст] / Н. А. Гальчина, Л. М. Коган [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 9. - С. 1143-1148 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- ультрафиолетовые светодиоды -- светодиоды -- люминофоры -- электролюминесценция Аннотация: Изучены спектры электролюминесценции светодоидов на основе p-n-гетероструктур типа InGaN/AlGaN/GaN в ближней ультрафиолетовой области спектра (360-405 нм). Исследованы излучатели в зеленой и желтой спектральной области на основе этих светодиодов, покрытых силикатными люминофорами. Обсуждаются возможности создания светодиoдов видимого свечения на основе ультрафиолетовых светодиодов, возбуждающих цветные люминофоры. Доп.точки доступа: Коган, Л. М.; Сощин, Н. П.; Широков, С. С.; Юнович, А. Э. |