621.315.592 А 233 Агапов, Б. Л. Электронно-микроскопическое исследование наноразмерных структур GaAs (100) - (Ga[2]Se[3]) -GaAs [Текст] / Б. Л. Агапов, Н. Н. Безрядин [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 12. - С. 62-65 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электроннная микроскопия -- арсенид галлия -- селенид галлия -- наноразмерные структуры Аннотация: Методами просвечивающей и растровой электронной микроскопии исследованы гетероструктуры GaAs (l00) -Ga[2]Se[3]. Установлена последовательность структурных превращений на поверхности GaAs (100) в процессе ее обработки в парах селена. Обнаружено усиление ориентирующего действия подложки GaAs (100) на рост пленки GaAs в результате предварительной обработки поверхности GaAs (100) в парах селена. Доп.точки доступа: Безрядин, Н. Н.; Сыноров, Ю. В.; Котов, Г. И.; Татохин, Е. А.; Стародубцев, А. А.; Кузубов, С. В. |