621.375 М 712 Мишкин, В. П. Влияние селективного химического травления на диаграмму направленности излучения полупроводникового лазера [Текст] / В. П. Мишкин, Д. О. Филатов, С. М. Некоркин, Ю. В. Кутергина // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 7. - Библиогр.: c. 80 (10 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): диаграмма направленности излучения -- квантовые ямы -- полупроводниковые лазеры -- самоформирование -- селективное травление -- химическое травление Аннотация: Исследовано влияние селективного жидкостного химического травления излучающей поверхности полупроводниковых лазеров на основе InGaP/GaAs с квантовыми ямами InGaAs на диаграмму направленности их излучения в плоскости, перпендикулярной p-n-переходу. Методом атомно-силовой микроскопии установлено, что за счет разной скорости травления материалов широкозонных слоев (InGaP) и активной области лазеров (GaAs, InGaAs) на излучающей поверхности происходит самоформирование цилиндрической линзы (собирающей или рассеивающей в зависимости от вида травителя) . Показано, что, подбирая соответствующее время травления, возможно изменять ширину диаграммы направленности лазера в плоскости, перпендикулярной p-n-переходу, в пределах 57-82` при исходной ширине диаграммы направленности на уровне 1/2 максимума, равной 66`. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/07/page-78.html.ru Доп.точки доступа: Филатов, Д. О.; Некоркин, С. М.; Кутергина, Ю. В. |