539.2 С 54     Соболев, Н. А.     Светоизлучающие структуры Si: Er, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии: влияние условий эпитаксиального роста на концентрацию примесей и фотолюминесценцию [] / Н. А. Соболев, Д. В. Денисов [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 108-111. - Библиогр.: с. 111 (9 назв. ). - Влияние условий эпитаксиального роста на концентрацию примесей и фотолюминесценцию . - ISSN 0367-3294 УДК 539.2 ББК 22.37 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): имплантация; ионная имплантация; концетрации; кремний; легирование; молекулярно-лучевая эпитаксия; нанофотоника; примеси; светоизлучающие структуры; структуры; фотолюминесценция; эпитаксиальный рост; эпитаксия; эрбий Аннотация: Исследована технология и свойства светоизлучающих структур на основе легированных эрбием в процессе молекулярно-лучевого эпитаксиального роста слоев кремния. Доп.точки доступа: Денисов, Д. В.; Емельянов, А. М.; Шек, Е. И.; Бер, Б. Я.; Коварский, А. П.; Сахаров, В. И.; Серенков, И. Т.; Устинов, В. М.; Цырлин, Г. Э.; Котерева, Т. В.