530.1 Р 882 Русанов, А. А. О законе сохранения импульса и замкнутых системах отсчета [Текст] / А. А. Русанов // Физика в школе. - 2004. - N 5 . - ISSN 0130-5522
Рубрики: Физика--Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): тела -- импульсы -- закон сохранения импульса -- замкнутые системы Аннотация: Теоретические выкладки показывают, а эксперимент подтверждает, что для случая взаимодействия нескольких тел, образующих замкнутую систему, векторная сумма импульсов всех тел остается неизменной. |
530.1 В 67 Волков, Р. В. Формирование быстрых многозарядных тяжелых ионов при воздействии сверхинтенсивного фемтосекундного лазерного импульса на очищенную поверхность мишени [Текст] / Р. В. Волков, В. М. Гордиенко [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2006. - Т. 130, N 2. - С. 347-362. - Библиогр.: с. 361-362 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика--Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): ионы; многозарядные тяжелые ионы; тяжелые ионы; лазерные импульсы; фемтосекундный лазерный импульс; очищенная поверхность мишени; ионизация; быстрые ионы; вольфрамовая мишень Аннотация: Анализ полученных экспериментальных данных по ускорению и ионизации быстрых ионов на очищенной поверхности вольфрамовой мишени. Доп.точки доступа: Гордиенко, В. М.; Лачко, И. М.; Русанов, А. А.; Савельев, А. Б.; Урюпина, Д. С. |
Смирнов, П. В. Устойчивость системы кристалл-расплав при выращивании крупногабаритных кристаллов ниобата лития методом низкого уровня расплава [Текст] / П. В. Смирнов, А. А. Русанов // Журнал технической физики. - 2010. - Т. 80, N 11. - С. 122-131. - Библиогр.: c. 131-132 (16 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): ниобат лития -- выращивание кристаллов -- рост кристаллов -- кристаллизация -- скорость кристаллизации по Ляпунову -- переходные процессы -- оптически однородные кристаллы -- низкий уровень расплава -- система кристалл-расплав -- кристалл-расплав Аннотация: Исследована устойчивость системы кристалл-расплав и скорости кристаллизации по Ляпунову для выращивания кристаллов ниобата лития методом низкого уровня расплава. Рассчитаны зависимости времени релаксации от условий выращивания. Построены расчетные графики переходных процессов при различных возмущениях. Показано, что для получения оптически однородных кристаллов необходимо соблюдать условия устойчивости именно скорости кристаллизации, а не системы кристалл-расплав в целом, причем максимум устойчивости скорости кристаллизации достигается при максимальном градиенте температуры на фронте кристаллизации и минимальном уровне расплава в тигле. Доп.точки доступа: Русанов, А. А. |
548.55 У 677 Управление температурным полем и остаточными напряжениями при выращивании базисноограненных сапфировых лент [Текст] / В. М. Крымов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 10. - С. 1436-1440 : Рис. - Библиогр.: c. 1440 (8 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Геология Минералогия Кл.слова (ненормированные): бизисноограненные ленты -- остаточные напряжения -- рост кристаллов из расплава -- сапфировые ленты -- тепловая экранировка -- термопластические напряжения -- термоупругие напряжения Аннотация: Изучено влияние различных конструкций тепловой экранировки при выращивании базисноограненных лент сапфира (Al[2]O[3]) на распредение температуры, термоупругих и остаточных напряжений в них. Доп.точки доступа: Крымов, В. М.; Денисов, А. В.; Саллум, М. И.; Бахолдин, С. И.; Мамедов, В. М.; Юферев, В. С.; Русанов, А. А.; Смирнов, П. В. |