530.1
Н 32


    Насыров, К. А.
    Инжекция электронов и дырок в структурах металл-оксид-нитрид-оксид-кремний [Текст] / К. А. Насыров, С. С. Шаймеев [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2006. - Т. 129, N 5. - С. 926-937. - Библиогр.: с. 936-937 . - ISSN 0044-4510
УДК
ББК 22.31
Рубрики: Физика--Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
электроны; инжекция электронов; дырки; инжекция дырок; структуры; металл-оксид-нитрид-оксид-полупроводник; МОНОП-структура; кремний; двуокись кремния; нитрид кремния; электроны
Аннотация: Изучаются электронные процессы в МОНОП-структурах с целью определения фундаментальных параметров (ширины запрещенной зоны, барьеров, эффективных масс) , важных при описании переноса электронов и дырок в аморфных двуокиси и нитриде кремния, а также параметров ловушек, ответственных за локализацию электронов и дырок в нитриде кремния.


Доп.точки доступа:
Шаймеев, С. С.; Гриценко, В. А.; Хан, Ж. Х.; Ли, Ж. В.; Ким, С. В.




    Новиков, Ю. Н.
    Многофононный механизм ионизации ловушек в Al[2]O[3]: эксперимент и численное моделирование [Текст] / Ю. Н. Новиков, В. А. Гриценко, К. А. Насыров // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып: вып. 10. - С. 599-602
УДК
ББК 22.373
Рубрики: Физика
   Электрические и магнитные свойства твердых тел

Кл.слова (ненормированные):
перенос заряда -- многофононная ионизация глубоких центров -- энергия глубоких центров -- ионизация ловушек
Аннотация: Экспериментально и теоретически исследован перенос заряда в Al[2]O[3]. Результаты эксперимента находятся в количественном согласии с теорией многофононной ионизации глубоких центров. Определены термическая (W[T]=1. 5 эВ) и оптическая (W[opt]=3. 0 эВ) энергии глубоких центров. Обнаружено, что экспериментальные данные неудовлетворительно описываются механизмом Пула-Френкеля, который дает нефизично малое значение частотного фактора и аномально высокое значение эффективной туннельной массы.


Доп.точки доступа:
Гриценко, В. А.; Насыров, К. А.


530.1
Н 329


    Насыров, К. А.
    Туннельная инжекция дырок через ловушки в SiO[2]: эксперимент и теория [Текст] / К. А. Насыров, В. А. Гриценко, С. С. Шаймеев // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 136, вып. 5. - С. 910-918. - Библиогр.: с. 917-918 . - ISSN 0044-4510
УДК
ББК 22.31
Рубрики: Физика
   Теоретическая физика

Кл.слова (ненормированные):
инжекция дырок -- кремний -- дырки -- оксид кремния -- туннельная инжекция дырок
Аннотация: Экспериментально изучена туннельная инжекция дырок из кремния через оксид кремния SiO[2].


Доп.точки доступа:
Гриценко, В. А.; Шаймеев, С. С.


530.1
Н 329


    Насыров, К. А.
    Перенос заряда в диэлектриках туннелированием между ловушками [Текст] / К. А. Насыров, авт. В. А. Гриценко // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 139, вып. 6. - С. 1172-1181. - Библиогр.: с. 1180-1181 . - ISSN 0044-4510
УДК
ББК 22.31
Рубрики: Физика
   Теоретическая физика

Кл.слова (ненормированные):
перенос заряда -- заряды -- диэлектрики -- туннелирование между ловушками -- ловушки
Аннотация: Развита теория переноса заряда в диэлектрике путем туннелирования между ловушками.


Доп.точки доступа:
Гриценко, В. А.


539.2
Н 329


    Насыров, К. А.
    Механизмы переноса электронов и дырок в диэлектрических пленках / К. А. Насыров, авт. В. А. Гриценко // Успехи физических наук. - 2013. - Т. 183, № 10. - С. 1099-1114 : 20 рис. - Библиогр.: с. 1113-1114 (80 назв.) . - ISSN 0042-1294
ГРНТИ
УДК
ББК 22.37 + 22.379
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

   Физика полупроводников и диэлектриков

Кл.слова (ненормированные):
аморфные диэлектрики -- диэлектрические пленки -- кремниевые приборы -- ловушки -- модель Френкеля -- нитрид кремния -- оксид алюминия -- Френкеля модель -- электроны
Аннотация: Представлен обзор механизмов транспорта электронов и дырок в основных аморфных диэлектриках кремниевых приборов: оксиде и нитриде кремния, оксиде алюминия.


Доп.точки доступа:
Гриценко, В. А.; Институт автоматики и телеметрии СО РАН (Новосибирск (Россия)Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (Новосибирск (Россия)