539.2 М 17 Максимов, Г. А. Фотоэлектрические свойства и электролюминесценция p-i-n-диодов на основе гетероструктур с самоорганизованными нанокластерами GeSi/Si [] / Г. А. Максимов, З. Ф. Красильник [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 26-28. - Библиогр.: с. 28 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры; излучательные переходы; межзонные переходы; нанокластеры; нанофотоника; оптоэлектронные устройства; переходы; полупроводники; самоорганизованные нанокластеры; устройства; фоточувствительность; электролюминесценция Аннотация: Разработан подход к анализу спектров фоточувствительности в структурах, содержащих тонкие слои GeSi, и определена энергия края полос фоточувствительности, связанных с этими слоями. Наблюдалась электролюминесценция при 77 К, обусловленная излучательными межзонными переходами в кластерах GeSi. Доп.точки доступа: Красильник, З. Ф.; Филатов, Д. О.; Круглова, М. В.; Морозов, С. В.; Ремизов, Д. Ю.; Николичев, Д. Е.; Шенгуров, В. Г. |
539.2 К 89 Кузнецов, В. П. Дефекты кристаллической структуры и холловская подвижность электронов в слоях Si: Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии [] / В. П. Кузнецов, Р. А. Рубцова [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 99-101. - Библиогр.: с. 101 (17 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): дефекты; имплантация; ионная имплантация; кристаллическая структура; металлографический метод; молекулярно-лучевая эпитаксия; плотность; подвижность; сублимационная молекулярно-лучевая эпитаксия; сублимационная эпитаксия; фотолюминесценция; холловская подвижность; электролюминесценция; электроны; эпитаксия; эрбий Аннотация: Определена холловская подвижность электронов и металлографическим методом исследована плотность дефектов кристаллической структуры в слоях Si: Er, выращенных с помощью сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. Доп.точки доступа: Рубцова, Р. А.; Шабанов, В. Н.; Касаткин, А. П.; Седова, С. В.; Максимов, Г. А.; Красильник, З. Ф.; Демидов, Е. В. |
537.622 Д 304 Демидов, Е. С. Анализ тонких слоев магнитных полупроводников на основе Ge: Mn методами рентгеновской фотоэлектронной и оже-спектроскопии [Текст] / Е. С. Демидов, С. Ю. Зубков [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 7. - С. 36-40 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Магнетизм Химия Физико-химические методы анализа Кл.слова (ненормированные): тонкие слои магнитных полупроводников -- магнитные полупроводники -- методы рентгеновской электронной оже-спектроскопии -- методы электронной спектроскопии -- электронная спектроскопия Аннотация: Методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) и электронной оже-спектроскопии (ЭОС) исследовались тонкие (~60 нм) слои германия, пересыщенного примесью марганца до 10-16 ат. %. Слои получены методом импульсного лазерного осаждения на монокристаллическую подложку полуизолирующего GaAs. По результатам РФЭС-анализа слоев Ge: Mn выявлено измене. ние формы линии германия (2p), марганца (2p) в приповерхностной области по сравнению с более глубокими слоями, что свидетельствует о переходе от окисленной формы материала-основы (Ge\{2+\}, Ge\{1+\}) и примеси (Мn\{2+\}) вблизи поверхности к неокисленному состоянию германия (Ge\{0\}) и марганца (Мn\{0\}) в толще слоя. РФЭС-спектры валентных электронов структуры Ge: Mn указывают на то, что плотность состояний в валентной зоне ферромагнитных структур Ge: Mn обусловлена не только ме. ханической смесью германия и марганца. Состав гетерогенных включений в пленке Ge: Mn изучен методом сканирующей оже-микроскопии. Доп.точки доступа: Зубков, С. Ю.; Лесников, В. П.; Максимов, Г. А.; Николичев, Д. Е.; Подольский, В. В. |