530.1 Л 330 Лебедев, М. В. К вопросу о природе "когерентного артефакта" [Текст] / М. В. Лебедев, О. В. Мисочко, Т. Декорси, Н. Георгиев // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2005. - Т. 127, N 2. - Библиогр.: с. 319 (7 назв. ) . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика--Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): когерентный артефакт -- фентосекундные лазерные импульсы -- отражение света -- монокристалл теплура -- теплур -- методика накачка-зондирование Аннотация: Экспериментально изучена временная область когерентного взаимодействия фентосекундных лазерных испульсов в методике накачки - зондирования при наблюдении отражения света от монокристалла теплура. В этой облати обнаружено периодическое изменение оптического отклика среды с частотой, равной частоте возбуждающего света. Доп.точки доступа: Мисочко, О. В.; Декорси, Т.; Георгиев, Н. |
539.2 Л 33 Лебедев, М. В. Механизм адсорбции молекул H[2]S на поверхности GaAs (100) : квантово-химический анализ из первых принципов [Текст] / М. В. Лебедев // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 1. - С. 152-158. - Библиогр.: с. 158 (32 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): адсорбция; адсорбция молекул; галлий; диссоциативная адсорбция; квантово-химический анализ; механизм адсорбции; молекулы водорода; молекулярная адсорбция Аннотация: Для изучения механизма адсорбции молекулы H[2]S на галлиевую поверхность GaAs (100) проводились квантово-химические кластерные расчеты из первых принципов в рамках теории функционала плотности. Показано, что адсорбция может проходить четыре стадии. Определены энергии стационарных состояний и энергетические барьеры для переходов между этими состояниями. |
539.2 П 180 Парахонский, А. Л. Гигантские флуктуации интенсивности излучения двумерных электронов в режиме квантового эффекта Холла [Текст] / А. Л. Парахонский, М. В. Лебедев [и др.] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 5. - С. 925-932. - Библиогр.: с. 932 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гигантские флуктуации; двумерные электроны; интенсивность излучения; квантовый эффект Холла; рекомбинационное излучение; уровень шума интенсивности фотолюминесценции; флуктуации; фотолюминесценция; Холла квантовый эффект Аннотация: В условиях квантового эффекта Холла исследованы флуктуации рекомбинационного излучения 2D-электронов в структурах с одиночной и двойными квантовыми ямами GaAs. Установлено, что при точном выполнении этих условий уровень шума интенсивности фотолюминесценции 2D-электронов на несколько порядков превышает уровень шума при нормальном (пуассоновском) распределении. Одновременно с флуктуациями интенсивности линий фотолюминесценции происходит скачкообразное изменение их спектрального положения. Аналогичные скачки обнаружены и в спектрах неупругого рассеяния света 2D-электронов в структурах с одиночной квантовой ямой GaAs. Флуктуационные процессы протекают согласованно на макроскопических состояниях. Характерная длина корреляции составляет 1 - 2 mm. Обнаружена особенность в спектральной плотности гигантских флуктуаций в виде узких пиков, частоты которых соотносятся как числа Фибоначчи. Появление в спектре флуктуаций таких частот имеет сходство с процессами, рассматриваемыми в теории открытых диссипативных динамических систем, методы которой в принципе могут быть использованы для гигантских флуктуаций. Доп.точки доступа: Лебедев, М. В.; Кукушкин, И. В.; Смет, Ю.; Клитцинг, К. фон |
004.7 А 892 Аршинов, В. И. Постнеклассическая рациональность, виртуалистика и информационные технологии [Текст] / В. И. Аршинов, авт. М. В. Лебедев // Философские науки. - 2007. - N 7. - С. 9-29 . - ISSN 0235-1188
Рубрики: Вычислительная техника--Компьютерные сети Философия--Общие вопросы философии Кл.слова (ненормированные): постнеклассическая наука; научная рациональность; виртуалистика; виртуальная реальность; свойства виртуальной реальности; порожденность; актуальность; автономность; интерактивность; информационные технологии; коммуникативная реальность; информационализм; искусственная реальность; Интернет; Internet; ресурсы Интернета; компьютерные игры Аннотация: Показано сходство и различие концепций постнеклассического типа научной рациональности и нового междисциплинарного исследования - виртуалистики в контексте развития современных информационных технологий. Доп.точки доступа: Лебедев, М. В. |
621.3 Л 330 Лебедев, М. В. Реконструкция поверхности InSb (111) A при адсорбции серы [Текст] / М. В. Лебедев, M. Shimomura, Y. Fukuda // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 5. - С. 539-543 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): поверхность InSb (111) A -- InSb (111) A -- сера -- адсорбция серы Аннотация: Методами дифракции медленных электронов и оже-электронной спектроскопии исследовалось изменение реконструкции поверхности InSb (111) A при адсорбции серы и отжиге в сверхвысоком вакууме. Показано, что эволюция реконструкции поверхности InSb (111) A существенным образом зависит от исходной толщины адсорбированного слоя серы на поверхности. Доп.точки доступа: Shimomura, M.; Fukuda, Y. |
1:316 А 892 Аршинов, В. И. Философские проблемы развития и применения нанотехнологий [Текст] / В. И. Аршинов, авт. М. В. Лебедев // Философские науки. - 2008. - N 1. - С. 58-79 . - ISSN 0235-1188
Рубрики: Социальная философия Общество и техника Типология общества Кл.слова (ненормированные): высокие технологии -- нанотехнологии -- молекулярная нанотехнология -- развитие нанотехнологий -- применение нанотехнологий -- цивилизации -- цивилизационный подход -- философия нанотехнологий -- методология нанотехнологий -- социальные последствия -- культурные последствия -- этика нанотехнологий -- научно-технический прогресс -- современное общество Аннотация: Раскрыта специфика нанотехнологии как ключевой высокой технологии будущего, как пути к новой человеческой цивилизации. Рассмотрены онтологические, теоретико-познавательные, социально-философские аспекты развития нанотехнологий и социокультурные последствия их внедрения. Доп.точки доступа: Лебедев, М. В. |
11/12 Л 330 Лебедев, М. В. Концепция времени в экзистенциальной онтологии Ингардена [Текст] / М. В. Лебедев // Вопросы философии. - 2006. - N 12. - С. 145-146 . - ISSN 0042-8744
Рубрики: Философия--Метафизика. Онтология--Польша Кл.слова (ненормированные): польская философия -- время (философия) -- временные стадии -- экзистенциализм -- бытие -- мир (философия) -- философы Аннотация: Предисловие к публикации раздела из книги Р. Ингардена "Спор о существовании мира" - одной из наиболее фундаментальных работ 20 в. Доп.точки доступа: Ингарден, Р. (польский философ, феноменолог); Спор, о существовании мира |
165 Л 330 Лебедев, М. В. Перспективы современных концепций надежности знания [Текст] / М. В. Лебедев // Вопросы философии. - 2007. - N 11. - С. 119-132. - Библиогр. в сносках . - ISSN 0042-8744
Рубрики: Философия Гносеология Кл.слова (ненормированные): знание (философия) -- познание (философия) -- релайабилизм -- теория познания Аннотация: Статья посвящена одному из заметных направлений в современной теории познания - релайабилизму. Автор обрисовывает тенденции и подходы, которые привели к его возникновению, указывает характеристики, возможные варианты, а также проблемы, с которыми он сталкивается, прогнозируя на этой основе направления, в которых он может развиваться. |
1 А 471 Алексеев, Ю. А. (канд. филос. наук ; доц.). Аналитическая философия в XXI веке: первый отечественный учебник [Текст] / рец. Ю. А. Алексеев // Вестник Российского философского общества. - 2007. - N 1 (41). - С. 168-169. - Рец. на кн.: Аналитическая философия : учеб. / под. ред. М. В. Лебедева, А. З. Черняка.- М.: РУДН, 2006 . - ISSN 1606-6251
Рубрики: Философия Общие вопросы философии Образование. Педагогика Высшее профессиональное образование Кл.слова (ненормированные): рецензии -- аналитическая философия -- учебники по философии -- учебные пособия Аннотация: Содержательный анализ материала, представленного в учебнике по аналитической философии, рассчитанного не только на студентов, но и на зрелых ученых. Доп.точки доступа: Лебедев, М. В.; Черняк, А. З.; Аналитическая, философия |
Лебедев, М. В. Адсорбция метилтиола на поверхности GaAs (100) - (2 x 4) : квантово-химический анализ из первых принципов [Текст] / М. В. Лебедев // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 9. - С. 1065-1071 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): метилтиол -- адсорбция -- квантово-химические кластерные расчеты -- электронная пассивация поверхности полупроводника Аннотация: Квантово-химические кластерные расчеты в рамках теории функционала плотности использованы для исследования механизма адсорбции молекулы метилтиола CH[3]SH на димер As-As, находящийся на поверхности GaAs (100). Показано, что адсорбция молекулы может происходить путем диссоциации либо связи S-H, либо связи C-S. Наименьшую энергию имеет состояние диссоциативной адсорбции с разрывом связи C-S и образованием молекулы метана и адатома серы, внедренного между поверхностными атомами мышьяка, составляющими димер. Несколько большую энергию имеет состояние диссоциативной адсорбции с разрывом связи S-H, в котором радикал CH3S- адсорбируется на атом мышьяка димера, а атом водорода - на атом галлия, связанный с этим атомом мышьяка. Анализ энергий орбиталей показывает, что эти два состояния обеспечивают химическую и электронную пассивацию поверхности полупроводника. |
Мисочко, О. В. Оптический контроль когерентной динамики решетки висмута при гелиевой температуре в условиях слабой и сильной накачки [Текст] / О. В. Мисочко, М. В. Лебедев // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып: вып. 4. - С. 309-314
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): когерентный контроль -- фононы -- когерентные фононы -- фононные осцилляции -- конденсация фононов -- висмут -- возбуждение кристаллической решетки Аннотация: Методом когерентного контроля исследованы полносимметричные A[1g] фононы висмута при гелиевой температуре в зависимости от степени возбуждения кристалла. Обнаружено, что когерентные фононы большой амплитуды демонстрируют "жесткость" фазы, которая отсутствует при малой амплитуде. Невозможность изменить фазу фононных осцилляций возникает при уровнях накачки, для которых закон релаксации их амплитуды меняется с экспоненциального на степенной. Модифицирование фазовых свойств и закона релаксации возбуждений кристаллической решетки может быть понято в рамках концепции конденсации фононов, возникающей при росте степени возбуждения кристалла. Доп.точки доступа: Лебедев, М. В. |
Гистерезис гигантских флуктуаций интенсивности излучения двумерных электронов в режиме целочисленного квантового эффекта Холла [Текст] / А. Л. Парахонский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 1. - С. 76-81 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): двуслойные электронные системы -- двумерные электроны -- гистерезис -- магнитное поле -- эффект Холла -- Холла эффект -- квантовые ямы -- пуассоновские характеристики шумов Аннотация: В двухслойных электронных системах в режиме целочисленного квантового эффекта Холла при наблюдении гигантских флуктуаций интенсивности излучения двумерных электронов обнаружен гистерезис в магнитополевых зависимостях амплитуды этих флуктуаций. Показано, что гистерезис проявляется только при определенной толщине барьера, разделяющего электронные слои, когда межслойное расстояние оказывается сравнимым с расстоянием между электронами в 2D-плоскости. Установлено, что амплитуда гистерезиса по магнитному полю зависит от температуры и от разности концентраций электронов в слоях. Обнаруженное явление может свидетельствовать о возникновении в связанных двухслойных электронных системах в условиях квантового эффекта Холла некоторого нового когерентного упорядоченного состояния, которое характеризуется двумя критическими температурами. Доп.точки доступа: Парахонский, А. Л.; Лебедев, М. В.; Кирпичев, В. Е.; Кукушкин, И. В. |
Лебедев, М. В. Генерация когерентных фононов в непрозрачных кристаллах: радиотехническая аналогия [Текст] / М. В. Лебедев, О. В. Мисочко // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 9. - С. 1735-1744. - Библиогр.: с. 1743-1744 (39 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): генерация когерентных фононов -- фононы -- лазерные импульсы -- когерентная динамика атомов -- управление состояниями кристаллических решеток Аннотация: Рассмотрена модель генерации когерентных фононов сверхкороткими лазерными импульсами в непрозрачных кристаллах, основанная на радиотехнической аналогии с двумя связанными RLC-контурами, первый из которых отвечает электронной подсистеме кристалла, а второй --- решеточной подсистеме. Показано, что эта аналогия позволяет описать ряд характерных свойств когерентных фононов и облегчает разделение вкладов неравновесных носителей заряда и когерентной динамики рашетки в сигнал времяразрешенного отражения непрозрачных кристаллов. Доп.точки доступа: Мисочко, О. В. |
Лебедев, М. В. Проблема языковой креативности [Текст] / М. В. Лебедев // Философские науки. - 2009. - N 8. - С. 79-96. - Библиогр. в примеч. - Примеч.: с. 95-96 . - ISSN 0235-1188
Рубрики: Философия Философия науки Кл.слова (ненормированные): философия языка -- языковая креативность -- сознание -- познание -- языковое понимание Аннотация: Понятие языковой креативности, разные теории о ней как о связи когнитивной теории с теорией познания. Доп.точки доступа: Хомский \н.\; Витгенштейн \л.\ |
530.1 М 654 Мисочко, О. В. Исследование зависимости когерентной динамики решетки висмута от степени возбуждения кристалла [Текст] / О. В. Мисочко, авт. М. В. Лебедев // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 136, вып. 5. - С. 931-942. - Библиогр.: с. 941-942 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- висмут -- решетка висмута -- когерентная динамика -- зависимость когерентной динамики -- степень возбуждения кристалла -- полносимметричные фононы висмута Аннотация: Методом накачки-зондирования фемтосекундными лазерными импульсами исследованы когерентные полносимметричные фононы висмута в широком диапазоне энергий возбуждающего импульса. Доп.точки доступа: Лебедев, М. В. |
537.311.33 П 194 Пассивация фотодиодов для инфракрасной области спектра спиртовым сульфидным раствором [Текст] / М. В. Лебедев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 4. - С. 535-539 : ил. - Библиогр.: с. 538 (24 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): пассивация фотодиодов -- фотодиоды -- сульфид натрия -- спиртовые сульфидные растворы -- комнатная температура -- изопропиловый спирт -- сульфидная пассивация -- GaInAsSb/GaAlAsSb -- InAs/InAsSbP Аннотация: Исследуется влияние обработки раствором сульфида натрия (Na[2]S) в изопропиловом спирте на характеристики фотодиодов GaInAsSb/GaAlAsSb и InAs/InAsSbP, измеряемые при комнатной температуре. В результате обработки спиртовым сульфидным раствором плотность темнового тока фотодиодов GaInAsSb/GaAlAsSb при обратном смещении 0. 1 В уменьшилась более чем в 25 раз, а фотодиодов InAs/InAsSbP - в 1. 7 раза. При этом произведение сопротивления при нулевом смещении и площади устройства (R0A) увеличивалось для фотодиодов GaInAsSb/GaAlAsSb от 1. 0 до 25. 6 Ом x см{2}, а для фотодиодов InAs/InAsSbP от 4. 4 x 10{-2} до 7. 3 x 10{-2} Ом x см{2}. Данный метод пассивации обеспечивает долговременную стабильность характеристик фотодиодов. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/04/p535-539.pdf Доп.точки доступа: Лебедев, М. В.; Шерстнев, В. В.; Куницына, Е. В.; Андреев, И. А.; Яковлев, Ю. П. |
621.315.592 Л 330 Лебедев, М. В. Перенос заряда на границе n-GaAs(100) с водным раствором соляной кислоты: исследования методом электрохимической импедансной спектроскопии [Текст] / М. В. Лебедев, T. Masuda, K. Uosaki // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 4. - С. 487-493 : ил. - Библиогр.: с. 493 (26 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Химия Физико-химические методы анализа Кл.слова (ненормированные): перенос заряда -- водные растворы -- соляная кислота -- арсенид галлия -- GaAs -- метод электрохимической импедансной спектроскопии -- электрохимическая импедансная спектроскопия -- импедансная спектроскопия -- импедансные спектры -- поверхностные состояния -- граница раздела -- полупроводник-электролит -- область пространственного заряда -- ОПЗ Аннотация: Методом электрохимической импедансной спектроскопии исследуются процессы переноса зарядов на границе n-GaAs (100) с водным раствором соляной кислоты. Установлено, что при приложении к полупроводнику анодных потенциалов импедансные спектры содержат две емкостные полупетли, соответствующие емкости области пространственного заряда и емкости поверхностных состояний. При приложении потенциала холостого хода изгиб зон на границе полупроводника с раствором равен 0. 7 эВ, а плотность заполненных поверхностных состояний полупроводника в темноте и при освещении комнатным светом равна соответственно 1. 6 и 2. 8·1012 см{2}эВ{-1}. При приложении к полупроводнику катодного потенциала происходит выделение водорода на границе полупроводник/раствор и в импедансном спектре появляется дополнительная индуктивная петля. Одновременно происходит возрастание плотности интерфейсных состояний как за счет выпрямления зон полупроводника, так и за счет формирования связей As-H. Таким образом, перенос заряда через границу n-GaAs (100) /водный раствор HCl всегда происходит с участием поверхностных состояний. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/04/p487-493.pdf Доп.точки доступа: Masuda, T.; Uosaki, K. |
621.315.592 Л 330 Лебедев, М. В. Квантово-химические исследования адсорбции молекул изопропилового спирта на поверхности GaAs (100) [Текст] / М. В. Лебедев // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 11. - С. 1579-1583 : ил. - Библиогр.: с. 1583 (30 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Техника Обработка материалов Кл.слова (ненормированные): квантово-химические исследования -- адсорбция -- изопропиловый спирт -- молекулы изопропилового спирта -- поверхности -- арсенид галлия -- GaAs -- галлиевые поверхности -- функционал плотности -- экспериментальные данные Аннотация: Квантово-химические кластерные расчеты в рамках теории функционала плотности использованы для исследования механизма адсорбции молекул изопропилового спирта на галлиевой поверхности GaAs (100). Показано, что на поверхности GaAs (100) может происходить либо молекулярная, либо диссоциативная адсорбция изопропилового спирта. Диссоциация молекулы спирта на поверхности GaAs (100) может происходить как с разрывом связи O-H, так и с разрывом связи C-OH. Состояние с разрывом связи C-OH имеет наименьшую энергию из всех возможных состояний адсорбции, но для перехода в это состояние необходимо преодолеть очень высокий барьер, что возможно только на границе полупроводник/жидкость. Рассчитанная траектория реакции адсорбции соответствует имеющимся экспериментальным данным по взаимодействию изопропилового спирта с поверхностью GaAs (100). Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/11/p1579-1583.pdf |
327(470+571) Л 330 Лебедев, М. В. Политическая модернизация в России: формы, содержание, модели, альтернативы, пути развития / М. В. Лебедев // Социальная политика и социология. - 2013. - № 1. - С. 25-32. - Библиогр.: с. 31-32 (9 назв.) . - ISSN 2071-3665
Рубрики: Политика. Политология Современное политическое положение Российской Федерации Кл.слова (ненормированные): политическая модернизация -- модели политической модернизации -- пути развития -- формы развития -- политическое развитие страны -- общественные отношения -- демократические государства Аннотация: В статье показаны необходимость и сущность политической модернизации в России, основные модели и пути развития страны. |
535.33 Х 462 Химическая пассивация подложек InSb (100) в водных растворах сульфида натрия / Т. В. Львова [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 5. - С. 710-716 : ил. - Библиогр.: с. 716 (18 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): фотоэмиссионная спектроскопия -- элементный состав -- электронно-энергетическая структура -- окисленные поверхности -- сульфид натрия -- подложки -- водные растворы -- отжиг -- вакуум -- поверхностные слои -- оксиды сурьмы -- индий -- хемосорбированные слои -- атомы серы -- атомно-силовая микроскопия -- сульфидная пассивация -- фотоэмиссия -- уровни Ферми -- Ферми уровни Аннотация: Методом рентгеновской фотоэмиссионной спектроскопии проведен анализ элементного состава и электронно-энергетической структуры как естественно окисленной поверхности подложек InSb (100), так и подложек, обработанных в водных растворах сульфида натрия. Установлено, что в результате обработки в 1 М водном растворе Na[2]S и последующем отжиге в вакууме при температуре 150 °С происходит полное удаление поверхностного слоя комплексных оксидов сурьмы и индия нестехиометрического состава с образованием сплошного хемосорбированного слоя атомов серы, когерентно-связанного с атомами индия. Согласно данным атомно-силовой микроскопии, в процессе сульфидной пассивации не происходит травления основного материала подложки. Обнаружен сдвиг (на 0. 37 эВ) линии объемной фотоэмиссии In-Sb в сторону больших энергий связи, что свидетельствует о сдвиге поверхностного уровня Ферми вглубь зоны проводимости. X-ray photoemission spectroscopy is used to study chemical composition and electronic structure of InSb (100) substrates covered with native oxide layer, as well as treated with aqueous sodium sulfide solution. It is found that the treatment of InSb (100) with 1M aqueous Na2S solution and subsequent annealing in ultra-high vacuum at 150 °С results in complete removal of the native oxide layer consisting of non-stoichiometric antimony and indium oxides and formation of the continuous layer of chemisorbed sulfur atoms bounded to indium atoms. According to atomic-force microscopy data, no etching of the substrate material proceeds in the course of sulfur passivation. After sulfur treatment the In-Sb bulk photoemission component shifts by 0. 37 eV towards higher binding energies, which is the evidence of the surface Fermi level shift to the conduction band. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/05/p710-716.pdf Доп.точки доступа: Львова, Т. В.; Дунаевский, М. С.; Лебедев, М. В.; Шахмин, А. Л.; Седова, И. В.; Иванов, С. В. |