539.2 Л 201 Лалетин, Р. А. Исследование низко- и инфранизкочастотного диэлектрического отклика тонких пленок BST [Текст] / Р. А. Лалетин, А. И. Бурханов [и др.] // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 6. - С. 1107-1108. - Библиогр.: с. 1108 (4 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): BST пленки; диэлектрические отклики тонких пленок; диэлектрические свойства; пленки BST; релаксация; тонкие пленки Аннотация: Проведено исследование низко- и инфранизкочастотных диэлектрических свойств тонких пленок Ba[0. 7]Sr[0. 3]TiO[3], отожженных при температуре 750 и 900 градусов Цельсия, в широкой области температур (от -180 до +100 градусов Цельсия) , частот (от 0. 1 Hz до 10 kHz) и амплитуд электрического поля (от 15 до 255 kV/cm) . Обнаружено, что в образцах имеет место гигантская релаксация, характерная для слоистых гетерогенных структур. Отмечено, что более высокая температура (900 градусов Цельсия) отжига приводит к смещению области релаксации в сторону низких температур. Доп.точки доступа: Бурханов, А. И.; Шильников, А. В.; Сигов, А. С.; Воротилов, К. А.; Васильев, В. А. |
539.2 Л 201 Лалетин, Р. А. Влияние механических напряжений на диэлектрический отклик тонких сегнетоэлектрических пленок PZT [Текст] / Р. А. Лалетин, А. И. Бурханов [и др.] // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 6. - С. 1109-1110. - Библиогр.: с. 1110 (5 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): PZT пленки; диэлектрические проницаемости; диэлектрические свойства пленок; механические напряжения; пленки PZT; поля внутреннего напряжения; структура пленок; тонкие сегнетоэлектрические пленки Аннотация: Представлены результаты исследования влияния механических напряжений на диэлектрические свойства тонкой сегнетоэлектрической пленки PZT. К образцу прикладывалась внешняя нагрузка G, приводящая к росту остаточного напряжения растяжения вдоль одной из осей пленки. Определено, что при малых и средних электрических полях рост напряжения сигма способствует увеличению диэлектрической проницаемости эпсилон штрих образца. Дальнейшее увеличение напряженности измерительного поля ведет к обратному эффект наблюдается уменьшение эпсилон штрих с возрастанием G. Доп.точки доступа: Бурханов, А. И.; Жога, Л. В.; Шильников, А. В.; Сигов, А. С.; Воротилов, К. А. |