Головнев, И. Ф. Обоснование молекулярно- динамического подхода к расчету уравнения состояния наноструктур [Текст] / И. Ф. Головнев, Е. И. Головнева, В. М. Фомин // Доклады Академии наук. - 2009. - Т. 427, N 5, август. - С. 616-619 : 4 рис. - Библиогр.: с. 619 (7 назв. ) . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Энергетика Электротехника в целом Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- формирование наноструктур -- термодинамические свойства -- характеристики наноструктур -- молекулярное моделирование -- динамическон моделирование Аннотация: Предложен метод расчета термодинамических свойств наноструктур (для температур выше температуры Дебая) из первых принципов и апробирован для случая сферических кластеров меди. Предложенный метод позволяет расчитывать термомеханические свойства макротел, проводя анологичные расчеты для микроструктур, когда можно пренебречь влиянием поверхностных атомов. Доп.точки доступа: Головнева, Е. И.; Фомин, В. М. |
539.21:537 Б 532 Бесконтактный перенос изображения через газовую фазу в термически активированном процессе / Ю. В. Шевцов [и др.]. // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 18. - С. 8-15 : ил. - Библиогр.: с. 15 (4 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): бесконтактный перенос изображения -- газовые фазы -- термические процессы -- оксид гафния -- щелевые структуры -- реагенты -- сканирующая эллипсометрия -- наноразмерные пленки Аннотация: Исследован процесс осаждения слоев оксида гафния в щелевых структурах с помощью импульсного варианта MO CVD с дискретной дозировкой реагентов. В качестве прекурсора использовали тетракис-дипивалоилметанат гафния (Hf (thd) [4]), а газа-реактанта - кислород. Щелевая структура образована пластиной кремния и стеклянной пластиной со сформированным на нем рисунком хрома. Ширину щели варьировали в интервале 0. 1-2. 0 mm, при этом аспектное отношение менялось 150-30. Полученные слои были исследованы методом сканирующей эллипсометрии. Обнаружен эффект пространственного переноса изображения с одной подложки на противоположную в виде рельефной наноразмерной пленки оксида гафния, которая повторяет рисунок хрома. Координатное разрешение рисунка по плоскости в проведенных экспериментах достигало 0. 025 mm. Данный эффект может быть использован для нелитографического метода формирования изображений пленочных структур. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/18/p8-15.pdf Доп.точки доступа: Шевцов, Ю. В.; Кучумов, Б. М.; Кручинин, В. Н.; Спесивцев, Е. В.; Головнев, И. Ф.; Игуменов, И. К.; Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН (Новосибирск); Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН (Новосибирск); Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (Новосибирск); Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (Новосибирск); Институт теоретической и прикладной механики им. С. А. Христиановича СО РАН (Новосибирск); Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН (Новосибирск) |