539.2 В 67 Волнянский, М. Д. Фотоиндуцированная диэлектрическая проницаемость в молибдате свинца [] / М. Д. Волнянский, А. Ю. Кудзин, С. Н. Пляка, З. Баласме // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 10. - С. 1783-1787. - Библиогр.: с. 1787 (16 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): диэлектрическая проницаемость; молибдат свинца; монокристаллы; низкочастотная проницаемость; освещение; свет; свинец; собственное поглощение; фотодиэлектрический эффект; фотоиндуцированная проницаемость; фотопроводимость Аннотация: Представлены результаты исследования влияния освещения на диэлектрические свойства монокристаллов молибдата свинца. Свет из области собственного поглощения приводит к значительному увеличению низкочастотной диэлектрической проницаемости (фотодиэлектрический эффект) . Доп.точки доступа: Кудзин, А. Ю.; Пляка, С. Н.; Баласме, З. |
539.2 В 67 Волнянский, Д. М. Фазовый переход и диэлектрические свойства в кристаллах Li[2-x]Na[x]Ge[4]O[9] (0. 2 / [Текст] / Д. М. Волнянский, А. Ю. Кудзин, М. Д. Волнянский // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 4. - С. 691-694. - Библиогр.: с. 694 (18 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): Ландау теория; нелинейность кристаллов; сегнетоэлектрические кристаллы; твердые растворы; терия Ландау; тетрагерманат лития; фазовые переходы Аннотация: Диэлектрическая нелинейность сегнетоэлектрических кристаллов Li[2-x]Na[x]Ge[4]O[9] (0. 2 300 K и T[c] < 300 K. Показано, что диэлектрические свойства кристаллов с T[c] < 300 K можно описать в рамках теории Ландау для фазовых переходов второго рода, а поведение кристаллов с T[c] > 300 K не описывается этой теорией. Полученные результаты ведут к заключению о том, что изменение свойств кристаллов с T[c] > 300 K, возможно, связано с изменением струкутры исследуемых кристаллов, вызванном изменением соотношения атомов Li и Na. Доп.точки доступа: Кудзин, А. Ю.; Волнянский, М. Д. |
539.2 В 67 Волнянский, Д. М. Поляризационные свойства кристаллов Li[2-x]Na[x]Ge[4]O[9] (0. 2 x 0. 3) в сегнетофазе [Текст] / Д. М. Волнянский, А. Ю. Кудзин, М. Д. Волнянский // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 2. - С. 320-326. - Библиогр.: с. 326 (19 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): диэлектрический гистерезис; монокристаллы; переполяризация; петли гистерезиса; сегнетофазы; синусоидальные поля; фазовые переходы; фазовые переходы второго рода Аннотация: Переполяризация в синусоидальных полях и пироэлектрические свойства кристаллов Li[2-x]Na[x]Ge[4]O[9] (0. 2 < x < 0. 3) измерены в диапазоне температур T[c] - T < 40 K. Исследовано поведение петель P-E-гистерезиса в кристаллах с T[c] < 300 K и T[c] > 300 K. Показано, что в кристаллах с T[c] < 300 K наблюдается обычная температурная трансформация петель гистерезиса, характерная для кристаллов с фазовым переходом второго рода. В кристаллах с T[c] > 300 K в интервале температур T[c] - T[1] около 30 K наблюдается двойные петли гистерезиса. Обсуждается взаимосвязь поляризационных свойств с возможными структурными изменениями в кристаллах Li[2-x]Na[x]Ge[4]O[9], вызванными изменением соотношения ионов Na и Li в них. Доп.точки доступа: Кудзин, А. Ю.; Волнянский, М. Д. |
539.2 В 679 Волнянский, М. Д. Анизотропия электропроводности кристаллов гептагерманата лития [Текст] / М. Д. Волнянский, М. П. Трубицын, Я. А. Х. Обайдат // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 3. - С. 408-410. - Библиогр.: с. 410 (10 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): удельная электропроводность -- анизотропия электропроводности -- гептагерманат лития -- энергия активации Аннотация: Удельная электропроводность сигма кристаллов гепта германата лития Li[2]Ge[7]O[15] исследована в частотном диапазоне электрического поля 0. 5 - 100 kHz и в интервале температур 300 - 700 K. При нагревании выше 500 K наблюдалась значительная анизотропия электропроводности, которая по величине различается на один и два порядка для направлений измерительного поля вдоль осей кристалла. Показано. что температурное возрастание сигма обусловлено процессом переноса заряда с энергией активации U = 1. 04 eV. Предполагается, что термически активированный вклад в электропроводность определяется транспортом межузельных ионов Li вдоль каналов структуры Li[2]Ge[7]O[15]. Доп.точки доступа: Трубицын, М. П.; Обайдат, Я. А. Х. |
539.2 В 679 Волнянский, М. Д. Диэлектрическая релаксация парных центров Cr{3+} -Li{+} в кристаллах Li[2]Ge[7]O[15] [Текст] / М. Д. Волнянский, М. П. Трубицын, А. Х. Обайдат Яхья // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып. 8. - С. 1385-1388. - Библиогр.: с. 1388 (6 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гептагерманат лития; диэлектрическая проницаемость; диэлектрическая релаксация; модель дебаевского релаксатора; примесные центры Аннотация: Исследованы температурно-частотные зависимости диэлектрической проницаемости кристаллов гептагерманата лития Li[2]Ge[7]O[15], активированных ионами Cr{3+}. Обнаружен диэлектрический отклик, обусловленный переориентацией дипольных моментов примесных центров хрома. Аномалии диэлектрической проницаемости описаны моделью дебаевского релаксатора. Доп.точки доступа: Трубицын, М. П.; Яхья, А. Х. Обайдат |
Трубицын, М. П. ЭПР ионов меди в кристаллах Li[2]Ge[7]O[15] [Текст] / М. П. Трубицын, М. Д. Волнянский, А. Н. Долинчук // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 8. - С. 1373-1377. - Библиогр.: с. 1377 (16 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): гептпгерманат лития -- ЭПР-спектры -- центры меди -- ориентационные зависимости -- параэлектрическая фаза -- сегнетоэлектрическая фаза Аннотация: В кристаллах гептагерманата лития Li[2]Ge[7]O[15] зарегистрированы ЭПР-спектры ионов Cu{2+} ({2}D[5/2]), которые локализованы в двух структурно-неэквивалентных положениях Cu1 и Cu2. В параэлектрической фазе Li[2]Ge[7]O[15] (T = 300 K) измерены угловые зависимости ЭПР-спектров. Определены компоненты g-фактора и тензора сверхтонкого взаимодействия A, установлена ориентация магнитных осей относительно кристаллографического базиса. Измерения ЭПР-спектров проведены в температурном интервале вблизи точки перехода T[c] = 283 K из пара- в сегнетоэлектрическую фазу. Определена позиционная симметрия центров Cu1 и Cu2 выше и ниже T[c]. Обсуждается локализация парамагнитных центров в структуре. На основании полученных результатов показано, что в решетке Li[2]Ge[7]O[15] центры Cu1 и Cu2 замещают ионы Li в двух структурно-неэквивалентных узлах, симметрия которых выше T[c] описывается соответственно триклинной C[i] и моноклинной C[2] точечными группами. Доп.точки доступа: Волнянский, М. Д.; Долинчук, А. Н. |
Трубицын, М. П. Ионная проводимость в кристаллах Li[2]Ge[7]O[15], допированных ионами Cr и Mn [Текст] / М. П. Трубицын, М. Д. Волнянский, Яхья А. Х. Обайдат // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 7. - С. 1184-1187. - Библиогр.: с. 1187 (11 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): ионная проводимость -- гептагерманат лития -- электропроводность -- примеси хрома -- примеси марганца Аннотация: В переменном поле частотой 1kHz и в интервале температур 300-700 K проведены измерения удельной электропроводности сигма кристаллов гептагерманата лития Li[2]Ge[7]O[15] с добавками Cr и Mn. Зафиксировано сильное влияние допирования на электропроводность. Показано, что введение 0. 1 wt. % примеси Cr почти на порядок увеличивает сигма, тогда как добавка 0. 03 wt. % Mn приводит к значительному уменьшению электропроводности вдоль определенных кристаллографических направлений. На основании данных о вхождении примесных атомов Cr и Mn в решетку показано, что электропроводность определяется перескоками ионов лития по междоузельным позициям вдоль структурных каналов. Доп.точки доступа: Волнянский, М. Д.; Обайдат, Яхья А. Х. |
539.2 И 755 Ионная проводимость и процессы объемно-зарядовой поляризации в кристаллах Li[2]Ge[7]O[15] [Текст] / М. Д. Волнянский [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 3. - С. 471-475. - Библиогр.: с. 475 (12 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): ионная проводимость -- объемно-зарядовая поляризация -- кристаллы -- гептагерманат лития -- измерительные поля Аннотация: Электрические свойства кристаллов гептагерманата лития Li[2]Ge[7]O[15] исследованы в постоянном и переменном измерительном поле при температурах 500-700 K. В постоянном поле зафиксировано существенное уменьшение электропроводности сигма со временем. На основании кинетических зависимостей сигма (t) получены оценки величины коэффициента диффузии D носителей заряда. В диапазоне частот 10{1}-10{5} Hz измерены спектры комплексного импеданса ро (f). Анализ диаграмм в комплексной плоскости (рo{''}-рo{'}) проведен с использованием метода эквивалентных схем замещения. Показано, что в исследованном интервале температур и частот электрические свойства кристаллов Li[2]Ge[7]O[15] определяются прыжковой проводимостью междоузельных ионов лития A[Li] и накоплением носителей заряда вблизи блокирующих Pt электродов. Доп.точки доступа: Волнянский, М. Д.; Пляка, С. Н.; Трубицын, М. П.; Обайдат Яхья, А. Х. |
539.2 В 679 Волнянский, М. Д. Тепловые и электрические свойства стеклокерамики на основе гептагерманата лития [Текст] / М. Д. Волнянский, А. А. Нестеров, М. П. Трубицын // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 5. - С. 889-890. - Библиогр.: с. 890 (4 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): закалка -- термическая обработка -- стеклокерамика -- гептагерманат лития Аннотация: Путем быстрой закалки и последующей термической обработки получены стеклокерамические образцы на основе гептагерманата лития Li[2]Ge[7]O[15]. Калориметрические измерения показали, что кристаллизация Li[2]Ge[7]O[15] из стеклянной фазы приходит в два этапа. Промежуточное состояние характеризуется значительным увеличением электропроводности стеклокерамических материалов. Доп.точки доступа: Нестеров, А. А.; Трубицын, М. П. |