Буланчук, П. О.
    Об управлении движением сферического маятника с помощью вибрации точки подвеса [Текст] / П. О. Буланчук, А. Г. Петров // Доклады Академии наук. - 2010. - Т. 430, N 5, февраль. - С. 627-630 : 1 рис. - Библиогр.: с. 630 (10 назв. ) . - ISSN 0869-5652
УДК
ББК 22.2
Рубрики: Механика
   Сила тяжести. Гравитация. Маятники. Баллистика

Кл.слова (ненормированные):
маятник -- сферический маятник -- движения маятника -- режимы колебания -- точки подвеса маятника -- управление движением маятника -- стабилизация маятника
Аннотация: Рассматривается движение сферического маятника с произвольной трехмерной периодической вибрацией точки подвеса. Найдены управляющие параметры колебаний точки подвеса, необходимые для стабилизации маятника в заданной точке на сфере. Исследован устойчивый режим колебаний, при котором среднеквадратичная скорость вибраций точки подвеса минимальна.


Доп.точки доступа:
Петров, А. Г.


531.5
Б 907


    Буланчук, П. О.
    Управление точкой равновесия одинарного и двойного математических маятников косой вибрацией / П. О. Буланчук, А. Г. Петров // Доклады Академии наук. - 2012. - Т. 442, № 4, февраль. - С. 474-478 : 3 рис. - Библиогр.: с. 478 . - ISSN 0869-5652
УДК
ББК 22.21
Рубрики: Механика
   Сила тяжести. Гравитация. Маятники. Баллистика

Кл.слова (ненормированные):
функции Гамильтона -- Гамильтона функции -- фукции Лагранжа -- Лагранжа фукции
Аннотация: Определено направление и амплитуда вибрации точки подвеса двойного математического маятника, стабилизирующей его положение в заданной точке на торе.


Доп.точки доступа:
Петров, А. Г.


539.21:537
М 550


   
    Механизм переноса заряда в тонких пленках твердых растворов Bi[2](Te[0.9]Se[0.1])[3] / Н. А. Абдуллаев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 5. - С. 586-590 : ил. - Библиогр.: с. 589-590 (12 назв.) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 22.373
Рубрики: Физика
   Электрические и магнитные свойства твердых тел

Кл.слова (ненормированные):
твердые растворы -- тонкие пленки -- перенос заряда -- электропроводность -- эффект Холла -- Холла эффект -- температурные интервалы -- магнитные поля -- высокие температуры -- термоактивация -- низкие температуры -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- магнитосопротивление -- радиусы локализации
Аннотация: Исследованы электропроводность, эффект Холла и магнитосопротивление в тонких пленках Bi[2] (Te[0. 9]Se[0. 1]) [3] в широком интервале температур 2. 5-300 K и в сильных магнитных полях вплоть до 8 Тл. Обнаружено, что, в то время как в объемных монокристаллах проводимость имеет "металлический" характер, в тонких пленках Bi[2] (Te[0. 9]Se[0. 1]) [3] проводимость "диэлектрического" типа. Предложено, что при высоких температурах 100-300 K проводимость определяется в основном термоактивированными носителями заряда по протяженным состояниям зоны проводимости с энергией активации примерно равной 15 мэВ. При более низких температурах 2. 5-70 K доминирует проводимость, обусловленная прыжками носителей заряда по локализованным состояниям, лежащим в узкой полоске энергий вблизи уровня Ферми. Из данных магнитосопротивления и электропроводности оценены радиус локализации, а также плотность локализованных состояний и средняя длина прыжка носителей заряда.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/05/p586-590.pdf

Доп.точки доступа:
Абдуллаев, Н. А.; Абдуллаев, Н. М.; Алигулиева, Х. В.; Керимова, А. М.; Мустафаева, К. М.; Мамедова, И. Т.; Мамедов, Н. Т.; Немов, С. А.; Буланчук, П. О.