669.018 Н 37 Нащекин, А. В. Формирование кластеров при синтезе наноструктурных пленок C[60]-CdTe [Текст] / А. В. Нащекин, А. Г. Колмаков, Г. В. Встовский, Е. Е. Баранов // Физика и химия обработки материалов. - 2006. - N 4. - С. 26-34 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Техника--Материаловедение Машиностроение--Металлургия. Металлы и сплавы Кл.слова (ненормированные): кластеры; наноструктурные пленки; синтез наноструктурных пленок; композитные пленки; двумерные фотоновые кристаллы; поверхности композитных пленок; пленочные материалы; кластеризация; наноматериалы; формирование кластеров; топографическая структура композитных пленок; полупроводниковые материалы Аннотация: Методами информационной интерпретации мультифрактального формализма и анализа кривизны структурных функций исследовано формирование кластеров в топографической структуре поверхности композитных пленок C[60]-CdTe толщиной 200-600 нм. Доп.точки доступа: Колмаков, А. Г.; Встовский, Г. В.; Баранов, Е. Е. |
539.2 Б 24 Баранов, Е. Е. Корреляция люминесцентных свойств с изменением характера структурной организации в сверхрешетках AlGaN/GaN после имплантации ионов эрбия и отжига [Текст] / Е. Е. Баранов, А. М. Емельянов [и др.] // Журнал технической физики. - 2006. - Т. 76, N 12. - С. 61-64. - Библиогр.: c. 64 (11 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): атомно-силовая микроскопия; ионная имплантация; нитрид галлия; отжиг; сверхрешетки; структурная организация; фотолюминесценция; эрбий Аннотация: Проведены сравнительные исследования эволюции характера структурной организации (ХСО) сверхрешеток (СР) AlGaN/GaN, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений, и их фотолюминесцентных (ФЛ) свойств после имплантации ионов эрбия с энергией 1 MeV, дозой 3ъ10{15} cm{-2} и отжига. Характер структурной организации оценивался количественно с помощью параметра Delta (степень нарушения локальной симметрии) , который определялся путем обработки с помощью мультифрактального анализа данных исследования морфологии поверхности структур методами атомно-силовой микроскопии. Показано, что имплантация сопровождается не только выделением Ga на поверхности, но и изменением ХСО, проявляющимся в появлении более мелкой по сравнению с исходной зернистой структуры и в разупорядочении, а также в росте Delta. С ростом температуры отжига от 700 до 800{o}C наблюдаются снижение Delta, свидетельствующее об улучшении ХСО, и увеличение интенсивности доминирующего пика (1. 542 mum) ФЛ ионов Er{3+}. Дальнейшее увеличение температуры отжига до 1050{o}C сопровождается ухудшением ХСО, укрупнением доменов, формированием пустот глубиной до 100-200 nm и падением интенсивности ФЛ. На образование пустот в процессе высокотемпературного отжига также указывают данные метода рассеяния протонов с энергией 230 keV. Таким образом, установлено, что улучшение характера структурной организации СР способствует активации эрбия и росту интенсивности люминесценции ионов эрбия. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2006/12/p61-64.pdf Доп.точки доступа: Емельянов, А. М.; Лундин, В. В.; Петров, В. Н.; Сахаров, В. И.; Серенков, И. Т.; Соболев, Н. А.; Титков, А. Н.; Шек, Е. И.; Шмидт, Н. М. |