539.2 О-627 Оптимальное легирование кристаллов GaSe для нелинейно-оптических применений / Ю. М. Андреев [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 11. - С. 37-44 : рис. - Библиогр.: c. 43-44 (37 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): Al кристаллы -- Er кристаллы -- GaSe -- кристаллы твердых растворов -- легирование кристаллов -- нелинейные кристаллы Аннотация: Выращены сантиметровые кристаллы GaSe модифицированным вертикальным методом Бриджмена из расплава с содержанием 0, 01; 0, 05; 0, 1; 0, 2; 0, 5; 1 и 2 ат. % Al и 0, 025; 0, 1; 0, 5; 1 и 2 ат. % Er с использованием вращающегося теплового поля. Их физические свойства исследованы в сравнении со свойствами легированных 0, 1; 0, 5; 1; 2; 3; 5; 7 и 10, 2 мас. % S, 0, 01; 0, 1; 0, 5; 1; 2; 3 и 5 мас. % In и 0, 01; 0, 1; 0, 5; 1 и 2 мас. % Te кристаллов, выращенных этим же и традиционным методом Бриджмена. Впервые установлены оптимальные уровни легирования Al и Er кристаллов GaSe равные соответственно 0, 01-0, 05 ат. % Al и ~ 0, 5 ат. % Er по ростовой закладке. Доп.точки доступа: Андреев, Ю. М.; Вайтулевич, Е. А.; Кох, К. А.; Ланский, Г. В.; Лосев, В. Ф.; Лубенко, Д. М.; Светличный, В. А.; Солдатов, А. Н.; Шайдуко, А. В. |