539.2 Р 153 Радиационные повреждения при облучении BCS-сверхпроводника MgB[2] электронами высокой энергии [Текст] / А. А. Блинкин [и др.] // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 2. - С. 231-239. - Библиогр.: с. 238-239 (49 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): сверхпроводники -- облучение -- радиационные повреждения -- BCS-сверхпроводники -- электроны высокой энергии -- электронное облучение Аннотация: Приводятся результаты изучения влияния облучения двухщелевого BCS-сверхпроводника MgB[2] высокими дозами электронов со средней энергией Эпсилон~10 MeV на температуру и ширину перехода в сверхпроводящее состояние, температурную зависимость электросопротивления в нормальном состоянии, параметры кристаллической решетки и интенсивность дифракционных линий. При повышении дозы электронного облучения Фи[t] обнаружены следующие эффекты: снижение критической температуры Тау[c] и увеличение ширины сверхпроводящего перехода дельта Тау[c], уменьшение величины " остаточного электросопротивления", понижение величин параметров a и c гексагональной кристаллической решетки, а также величины отношения интенсивности дифракционных линий. На основании полученных результатов установлено, что основным видом радиационных повреждений при облучении BCS-сверхпроводника MgB[2] электронами высокой энергии является образование вакансий в B-подрешетке, следствием которого является сужение большой энергетической щели Дельта[сигма] на поверхности Ферми. Доп.точки доступа: Блинкин, А. А.; Деревянко, В. В.; Сухарева, Т. В.; Уваров, В. Л.; Финкель, В. А.; Шахов, Ю. Н.; Шляхов, И. Н. |
539.1 Б 273 Басков, В. А. Регистрация электронов высокой энергии спектрометром направленного действия / В. А. Басков // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2014. - Т. 99, вып. 12. - С. 785-788
Рубрики: Физика Ядерная физика в целом Кл.слова (ненормированные): электроны высокой энергии -- спектрометры направленного действия -- ориентированные кристаллы -- кристаллы -- вольфрам -- вольфрамат -- гранат -- электромагнитные ливни Аннотация: Представлен метод регистрации электронов с энергией 26 и 28 ГэВ с помощью спектрометра направленного действия на основе ориентированных кристаллов вольфрама, вольфрамата и граната. Несмотря на аномальный характер развития электромагнитного ливня на начальной стадии в ориентированном вдоль оси кристалле, относительное энерговыделение ливня в спектрометре за кристаллом на конечной стадии описывается стандартной зависимостью развития электромагнитного ливня. Доп.точки доступа: Физический институт им. Лебедева РАН |