621.375 С 890 Субматричный фотоприемный модуль на основе гетероструктуры HgCdTe/Si (310) [Текст] / М. В. Якушев [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 4. - С. 1-7 : ил. - Библиогр.: с. 7 (7 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): фотоприемные модули -- субматричные фотоприемные модули -- гетероструктуры -- HgCdTe/Si (310) -- фотоприемники -- инфракрасные фотоприемники -- линейчатые инфракрасные фотоприемники -- длинноволновые области -- инфракрасные спектры Аннотация: Впервые продемонстрирована возможность изготовления на основе гетероструктуры Cd[x]Hg[1-x]Te/Si (310) линейчатого инфракрасного фотоприемника формата 288x 4 для длинноволновой (8-12 mum) области инфракрасного спектра. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/04/p1-7.pdf Доп.точки доступа: Якушев, М. В.; Варавин, В. С.; Васильев, В. В.; Дворецкий, С. А.; Предеин, А. В.; Сабинина, И. В.; Сидоров, Ю. Г.; Сорочкин, А. В.; Сусляков, А. О. |