537 Э 736 Эпштейн, Э. М. Угловой гистерезис туннельного магнитосопротивления магнитных переходов [Текст] / Э. М. Эпштейн // Радиотехника и электроника. - 2002. - Т.47,N11. - Библиогр.:с.1393 (9 назв.) . - ISSN 0033-8494
Кл.слова (ненормированные): магнитные поля -- магнитный туннельный переход -- туннельное магнитосопротивление -- угловой гистерезис Аннотация: Из условия минимума свободной энергии вычислена зависимость туннельного магнитосопротивления (ТМС) магнитного перехода от направления внешнего магнитного поля в плоскости свободного слоя. В некоторой области магнитных полей зависимость ориентации намагниченности этого слоя от направления внешнего магнитного поля имеет разрывный характер, следствием чего являются скачки ТМС при некоторых ориентациях магнитного поля. При изменении направления магнитного поля в обратном направлении скачки происходят при других ориентациях магнитного поля, так что наблюдается угловой гистерезис ТМС. Перейти: http://www.maik.ru |