Слабая антилокализация в квантовых ямах на основе HgTe вблизи топологического перехода [Текст] / Е. Б. Ольшанецкий [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91, вып: вып. 7. - С. 375-378
Рубрики: Физика Квантовая механика Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- спин-орбитальное взаимодействие -- топологические переходы -- аномальное магнитосопротивление -- прямой зонный спектр -- инвертированный зонный спектр Аннотация: Обнаружено и исследовано аномальное знакопеременное магнитосопротивление (АМС) в HgTe квантовых ямах, имеющих толщину 5. 8 и 8. 3 нм, то есть вблизи перехода от прямого зонного спектра к инвертированному. Показано, что в ямах с инвертированным спектром обнаруженное АМС хорошо описывается теорией, причем детальное сравнение эксперимента с ней указывает на наличие только кубического члена в спиновом расщеплении электронного спектра. В яме с прямой щелью условия применимости теории не выполняются и, как следствие этого, не удается сделать столь же однозначный вывод. Полученные результаты указывают на существование сильного спин-орбитального взаимодействия в симметричных HgTe квантовых ямах вблизи топологического перехода. Доп.точки доступа: Ольшанецкий, Е. Б.; Квон, З. Д.; Гусев, Г. М.; Михайлов, Н. Н.; Дворецкий, С. А.; Портал, Дж. С. |
Редько, Н. А. Электронный топологический переход в области магнитных полей квантового предела при H параллельно C[2] в полупроводниковом сплаве n-Bi-Sb [Текст] / Н. А. Редько, В. Д. Каган, М. П. Волков // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 138, вып: вып. 2. - С. 271-276. - Библиогр.: с. 276 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые сплавы -- сплавы -- электронные топологические переходы -- топологические переходы -- магнитные поля -- квантовый предел Аннотация: Исследован электронный топологический переход в области магнитных полей квантового предела при H параллельно C[2] в полупроводниковом сплаве n-Bi-Sb. Доп.точки доступа: Каган, В. Д.; Волков, М. П. |