537.622 Д 304 Демидов, Е. С. Анализ тонких слоев магнитных полупроводников на основе Ge: Mn методами рентгеновской фотоэлектронной и оже-спектроскопии [Текст] / Е. С. Демидов, С. Ю. Зубков [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 7. - С. 36-40 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Магнетизм Химия Физико-химические методы анализа Кл.слова (ненормированные): тонкие слои магнитных полупроводников -- магнитные полупроводники -- методы рентгеновской электронной оже-спектроскопии -- методы электронной спектроскопии -- электронная спектроскопия Аннотация: Методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) и электронной оже-спектроскопии (ЭОС) исследовались тонкие (~60 нм) слои германия, пересыщенного примесью марганца до 10-16 ат. %. Слои получены методом импульсного лазерного осаждения на монокристаллическую подложку полуизолирующего GaAs. По результатам РФЭС-анализа слоев Ge: Mn выявлено измене. ние формы линии германия (2p), марганца (2p) в приповерхностной области по сравнению с более глубокими слоями, что свидетельствует о переходе от окисленной формы материала-основы (Ge\{2+\}, Ge\{1+\}) и примеси (Мn\{2+\}) вблизи поверхности к неокисленному состоянию германия (Ge\{0\}) и марганца (Мn\{0\}) в толще слоя. РФЭС-спектры валентных электронов структуры Ge: Mn указывают на то, что плотность состояний в валентной зоне ферромагнитных структур Ge: Mn обусловлена не только ме. ханической смесью германия и марганца. Состав гетерогенных включений в пленке Ge: Mn изучен методом сканирующей оже-микроскопии. Доп.точки доступа: Зубков, С. Ю.; Лесников, В. П.; Максимов, Г. А.; Николичев, Д. Е.; Подольский, В. В. |