538.9 К 995 Кюрегян, А. С. Влияние диффузии на скорость распространения стационарных волн ударной ионизации в полупроводниках [Текст] / А. С. Кюрегян // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып. 5. - С. 360-364 . - ISSN 0370-274X
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): стационарные волны ударной ионизации -- полупроводники -- диффузия -- скорость распространения стационарных волн -- ударная ионизация Аннотация: Предложено обобщение известной теории стационарных плоских волн ударной ионизации в газах на биполярный случай, характерный для полупроводников, где среду ионизуют горячие носители заряда обоих знаков. Вследствие этого скорость u биполярных волн (в отличие от монополярных) определяется процессами в лидирующей области фронта при любых отличных от нуля скоростях ударной ионизации вне зависимости от направления распространения. Это свойство позволило получить аналитические формулы для u как функции параметров материала, начального возмущения и напряженности внешнего поля путем анализа краевой задачи, линеаризованной вблизи неустойчивого состояния. В максимально достижимых полях (например, в стримерах) диффузия должна приводить к увеличению u примерно в три раза по сравнению со средней скоростью дрейфа при типичных значениях параметров полупроводников. |