621.3 Т 350 Терентьев, Я. В. Сильная спиновая поляризация электронов в диодной структуре на основе InAs [Текст] / Я. В. Терентьев, О. Г. Люблинская [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 11. - С. 1309-1313 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): спиновая поляризация электронов -- диодные структуры -- электроны -- фотолюминесценция -- циркулярно-поляризованная фотолюминесценция -- геометрия Фарадея -- Фарадея геометрия Аннотация: Путем измерения циркулярно-поляризованной фотолюминесценции обнаружена высокая степень ориентации спинов электронов в n-области диодной структуры на основе InAs, помещенной в магнитное поле в геометрии Фарадея. Поляризация излучения достигает 90% в поле 2 Тл. В противоположность этому степень поляризации в обычных, без p-n-перехода, слоях InAs не превышает 20% в диапазоне полей до 4 Тл. Эффект связывается с наличием встроенного электрического поля p-n-перехода, которое препятствует локализации неравновесных электронов на мелких донорных центрах и тем самым позволяет ориентировать спины электронов за счет зеемановского расщепления в зоне проводимости. Доп.точки доступа: Люблинская, О. Г.; Усикова, А. А.; Торопов, А. А.; Соловьев, В. А.; Иванов, С. В. |
530.1 K 42 Khomitsky, D. V. Quantum states and linear response in dc and electromagnetic fields for the charge current and spin polarization of electrons at the Bi/Si interface with the giant spin-orbit coupling [Текст] / D. V. Khomitsky // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 141, вып. 5. - С. 848-858 : рис. - Библиогр.: с. 857-858 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): электромагнитные поля -- спиновая поляризация электронов -- спин-орбитальное взаимодействие |