Спиновая динамика носителей в квантовых ямах GaAs/AlGaAs при наличии латерально локализующего электрического потенциала [Текст] / Р. А. Чербунин [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 4. - С. 791-794. - Библиогр.: с. 794 (6 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- электрический потенциал -- спиновая динамика носителей -- квантовые точки -- мозаичные электроды Аннотация: Методом фотоиндуцированного магнитооптического эффекта Керра изучена динамика спиновой ориентации в квантовой яме GaAs, находящейся в латерально неоднородном электрическом потенциале, создаваемом мозаичным электродом, нанесенным на поверхность образца. Установлено, что приложение к электроду отрицательного потенциала, большего 1 V, сопровождается более чем стократным увеличением времени жизни спиновой поляризации в исследуемом образце. Сделан вывод, что причиной столь резкого замедления релаксации является совместное действие двух эффектов: пространственного разнесения электрона и дырки, приводящего к уменьшению скорости излучательной рекомбинации электрон-дырочной пары, и локализации электрона, сопровождающейся подавлением процессов спиновой релаксации, связанных с его движением. Доп.точки доступа: Чербунин, Р. В.; Кузнецова, М. С.; Герловин, И. Я.; Игнатьев, И. В.; Долгих, Ю. К.; Ефимов, Ю. П.; Елисеев, С. А.; Петров, В. В.; Полтавцев, С. В.; Ларионов, А. В.; Ильин, А. И. |