621.3 З-177 Зайцев, С. В. Получение квантовых точек методом селективной интердиффузии в CdTe/CdMgTe-квантовых ямах [Текст] / С. В. Зайцев, М. К. Вельш, А. Форхел, Г. Бахер // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 11. - С. 1357-1362 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): селективная интердиффузия -- квантовые точки -- квантовые ямы -- гетероструктуры Аннотация: Индивидуальные квантовые точки реализованы методом селективной интердиффузии между барьерами и слоем квантовой ямы CdTe/CdMgTe. Гетероструктура с предварительно нанесенной на поверхность маской SiO[2], содержащей открытые апертуры диаметром вплоть до 140 нм, была подвергнута кратковременному отжигу в течение одной минуты при температуре 410\{o\}C. Отжиг вызывает диффузию атомов Mg в глубь квантовой ямы, существенно усиленную под маской. Возникший латеральный потенциал с минимумами в области апертур маски эффективно локализует носители, образующие квазинульмерные экситоны. Изучение излучательной рекомбинации свидетельствует о полной пространственной локализации экситонов, что проявляется в существенном сужении ширины линии экситонного перехода, а также наблюдении биэкситона и возбужденных состояний при высоких уровнях фотовозбуждения. Характерные значения энергий межуровневого расщепления и энергии связи биэкситона указывают на режим слабой локализации носителей в квантовых точках. Доп.точки доступа: Вельш, М. К.; Форхел, А.; Бахер, Г. |