Оптические и структурные характеристики пленок оксида цинка, легированных галлием [Текст] / О. А. Новодворский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 4. - С. 439-444
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): лазерное осаждение -- монокристаллические подложки -- примеси галлия -- рентгеноструктурные исследования -- широкозонные полупроводники -- лазерные диоды Аннотация: Методом импульсного лазерного осаждения на монокристаллических подложках сапфира (0001) получены пленки ZnO n-типа проводимости, легированные галлием до 2. 5 ат%. Определены зависимости пропускания пленок ZnO в спектральном диапазоне от 200 до 3200 нм от концентрации примеси галлия. Установлено, что увеличение концентрации примеси галлия смещает границу фундаментальной полосы поглощения в синюю область, но снижает прозрачность пленок ZnO в инфракрасной области спектра. Определена зависимость ширины запрещенной зоны ZnO от уровня легирования галлием. Получены спектры фотолюминесценции пленок ZnO с различным уровнем легирования. Установлена немонотонная зависимость интенсивности и положения максимума фотолюминесценции от уровня легирования. Проведены рентгеноструктурные исследования пленок. Установлена зависимость кристаллографических параметров (постоянной решетки c) пленки ZnO от концентрации примеси галлия и условий процесса напыления. Доп.точки доступа: Новодворский, О. А.; Горбатенко, Л. С.; Панченко, В. Я.; Храмова, О. Д.; Черебыло, Е. А.; Венцель, К.; Барта, Й. В.; Бублик, В. Т.; Щербачев, К. Д. |