Особенности подпорогового дефектообразования в монокристаллах CdS и CdS : Cu при рентгеновском облучении [Текст] / Г. Л. Мирончук [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 5. - С. 694-698 : ил. - Библиогр.: с. 697 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): рентгеновское облучение -- монокристаллы -- CdS -- сульфид кадмия -- дефектообразование -- электронная радиация -- рекомбинация -- легирование -- оптическое гашение фотопроводимости -- ОГФ -- кластеры дефектов -- КФ -- медь -- Cu -- подпороговая энергия -- крупные структурные повреждения -- КСП -- экспериментальные исследования -- r-центры -- неравновесные носители заряда Аннотация: Представлены экспериментальные результаты исследования влияния электронной радиации с энергией электронов 230 кэВ, рентгеновских квантов в энергиями 8. 06, 17. 5 кэВ и закалки образцов на образование и перестройку центров медленной рекомбинации неравновесных носителей заряда (так называемых r-центров) в специально не легированных и легированных медью (N[Cu]~10{18} см{-3}) монокристаллах CdS. Показано, что за r-центры ответственны дефекты в кадмиевой подрешетке кристалла, а именно вакансии VCd и близкие к ним по параметрам дефекты Cu[Cd]. При рентгеновском облучении как нелегированных, так и легированных Cu монокристаллов CdS имеет место подпороговое дефектообразование вакансий кадмия и Cu[Cd] в местах искаженных и ослабленных межатомных связей - "слабых местах" возле крупных структурных повреждений решетки технологического или иного происхождения. Начиная с температуры закалки 170{o}C заметное влияние на спектр центров медленной рекомбинации оказывают термообразованные V[Cu] и вторичные дефекты Cu[Cd]. При температурах закалки больших 250{o}C заметный вклад в спектр оптического гашения фотопроводимости вносят термовведенные свободные (вдали от структурных повреждений) r-центры-V[Cd] и Cu[Cd]. Доп.точки доступа: Мирончук, Г. Л.; Давидюк, Г. Е.; Божко, В. В.; Кажукаускас, В. |