539.2 Р 598 Рогозин, И. В. Исследование особенностей роста пленок GaN в системе GaN-GaAs методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии [Текст] / И. В. Рогозин // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 8. - С. 78-81 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): пленки GaN -- рост пленок -- система GaN-GaAs -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия Аннотация: Пленки GaN получены на подложках GaAs (111) методом радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии. Химический состав поверхности подложки и стехиометрия пленок исследовались методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Обнаружено, что при низких температурах на начальных стадиях роста на поверхности GaAs образуются связи Ga-N и As-N. Установлено, что длительный отжиг пленок GaN в присутствии радикалов азота приводит к сдвигу стехиометрии в сторону избытка азота. |
621.385 Г 441 Гетероэпитаксиальные пленки GaN на подложках кремния с буферными слоями на основе пористого материала [Текст] / Ю. Н. Бузынин [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 11. - С. 1583-1587. - Библиогр.: c. 1587 (21 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Радиоэлектроника Электровакуумные приборы Кл.слова (ненормированные): гетероэпитаксильные пленки -- электрическая однородность -- фотолюминесценция -- подложки кремния -- метод МОГФЭ -- сложные буферные слои -- пленки GaN Аннотация: Для эпитаксии GaN на подложках Si разработаны новые сложные буферные слои на основе пористого материала. Доп.точки доступа: Бузынин, Ю. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Дроздов, М. Н.; Лукьянов, А. Ю.; Хрыкин, О. И.; Бузынин, А. Н.; Лукьянов, А. Е.; Рау, Э. И.; Лукьянов, Ф. А. |
621.385 Г 441 Гетероэпитаксиальные пленки соединений A{III}B{V} на подложках и буферных слоях фианита [Текст] / Ю. Н. Бузынин [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 4. - С. 511-516. - Библиогр.: c. 516 (10 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Радиоэлектроника Электровакуумные приборы Кл.слова (ненормированные): гетероэпитаксильные пленки -- многослойные структуры -- фотолюминесценция -- вторично-ионная миасс-спектроскопия -- метод МОГФЭ -- буферные слои -- пленки GaN -- фианит -- растровая электронная микроскопия Аннотация: На фианитовых подложках методом МОГФЭ получены эпитаксильные пленки GaAs, GaSb, AlGaAs и InGaAs, а также многослойные гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs для PHEMT-полевых транзисторов. Доп.точки доступа: Бузынин, Ю. Н.; Дроздов, М. Н.; Бузынин, А. Н.; Осико, В. В.; Звонков, Б. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Парафин, А. Е.; Мурель, А. В.; Хрыкин, О. И.; Лукьянов, А. Е.; Лукьянов, Ф. А.; Сеннов, Р. А. |