537.222.22 А 180 Авакянц, Л. П. Исследование встроенного электрического поля в напряженных сверхрешетках GaAs / GaAsP методом спектроскопии фотоотражения [Текст] / Л. П. Авакянц, П. Ю. Боков, Т. П. Колмакова, А. В. Червяков> // Вестник Московского университета. Сер. 3, Физика. Астрономия. - 2004. - N 1. - Библиогр.: с. 47 (5 назв. ) . - ISSN 0201-7385
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): метод спектроскопии фотоотражения -- напряженные сверхрешетки GaAs / GaAsP -- встроенное электрическое поле -- осцилляции Франца-Келдыша -- деформационно-индуцированное пьезоэлектрическое поле Аннотация: Методом спектроскопии фотоотражения исследованы напряженные сверхрешетки GaAs / GaAs[0. 6]P[0. 4], выращенные вдоль направлений [ 100 ] и [ 111 ]. Из анализа осцилляций Франца-Келдыша, наблюдаемых в спектрах фотоотражения, определены величины встроенных полей в сверхрешетках. Они составили 80 кВ/см для ориентации (100) и 430кВ/см для ориентации (111) . Различие указанных величин объяснено наличием деформационно-индуцированного пьезоэлектрического поля в напряженных сверхрешетках, выращенных вдоль направления [ 111 ]. Доп.точки доступа: Боков, П. Ю.; Колмакова, Т. П.; Червяков, А. В. |