539.2 Б 28 Баталов, Р. И. Структура, примесный состав и фотолюминесценция механически полированных слоев монокристаллического кремния [] / Р. И. Баталов, Р. М. Баязитов [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 5-8. - Библиогр.: с. 8 (12 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): атомные кластеры; воздействия; дефекты; деформация; дислокации; ИК-области; кластеры; кремниевые структуры; кремний; монокристаллический кремний; нанофотоника; обработка; пластическая деформация; преципитаты; радиационные воздействия; структуры; термическая обработка; фотолюминесценция Аннотация: Рассмотрено введение в монокристаллический кремний оптически активных дефектов путем радиационных воздействий, пластической деформации или термической обработки как один из возможных подходов к созданию кремниевых структур, излучающих в ближней ИК-области. Доп.точки доступа: Баязитов, Р. М.; Хуснуллин, Н. М.; Теруков, Е. И.; Кудоярова, В. Х.; Мосина, Г. Н.; Андреев, Б. А.; Крыжков, Д. И. |
539.2 Ш 88 Штейнман, Э. А. Модификация центров дислокационной люминесценции в кремнии под влиянием кислорода [] / Э. А. Штейнман // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 9-12. - Библиогр.: с. 12 (22 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): деформация; диоды; дислокации; дислокационная люминесценция; кислород; кремниевые технологии; кремний; люминесценция; нанофотоника; пластическая деформация; светодиоды; светоизлучающие диоды; технологии; фотолюминесценция Аннотация: Рассматриваются перспективы использования длинноволновой линии дислокационной люминесценции D1 в светоизлучающих диодах, изготовленных в рамках кремниевых технологий. |
539.2 К 82 Кривелевич, С. А. Сечения возбуждения и девозбуждения излучающих нанокластеров в кремнии, легированном редкоземельными элементами [] / С. А. Кривелевич, М. И. Маковийчук, Р. В. Селюков // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 13-16. - Библиогр.: с. 16 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): возбуждения; девозбуждения; концентрация; кремний; легирование; легирование; нанокластеры; нанофотоника; редкоземельные центры; редкоземельные элементы; фотоны; центры; электролюминесценция; электроны; элементы; энергии Аннотация: Рассмотрено два вида девозбуждения: процесс с излучением центром фотона и процесс с передачей энергии кластеров рассеянному электрону. Показано, что сечения этих двух процессов значительны, поэтому девозбуждение играет важную роль в динамике концентрации возбужденных редкоземельных центров в кремнии. Доп.точки доступа: Маковийчук, М. И.; Селюков, Р. В. |
539.2 Е 35 Ежевский, А. А. Фотолюминесценция нанокристаллического кремния, полученного методом имплантации ионов инертных газов [] / А. А. Ежевский, М. Ю. Лебедев, С. В. Морозов // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 22-25. - Библиогр.: с. 25 (8 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): аморфные слои; газы; имплантация; инертные газы; ионы; кремний; кристаллические подложки; нанокристаллический кремний; наноструктурирование; нанофотоника; облучение; подложки; полупроводниковая электроника; самоорганизация; слои; фотолюминесценция; электроника Аннотация: Предложен новый способ получения нанокристаллического кремния, заключающийся в использовании больших доз облучения ионами инертных газов, когда наноструктурирование происходит в результате процессов самоорганизации структуры кремния на границе аморфного слоя с кристаллической подложкой. Доп.точки доступа: Лебедев, М. Ю.; Морозов, С. В. |
539.2 М 17 Максимов, Г. А. Фотоэлектрические свойства и электролюминесценция p-i-n-диодов на основе гетероструктур с самоорганизованными нанокластерами GeSi/Si [] / Г. А. Максимов, З. Ф. Красильник [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 26-28. - Библиогр.: с. 28 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры; излучательные переходы; межзонные переходы; нанокластеры; нанофотоника; оптоэлектронные устройства; переходы; полупроводники; самоорганизованные нанокластеры; устройства; фоточувствительность; электролюминесценция Аннотация: Разработан подход к анализу спектров фоточувствительности в структурах, содержащих тонкие слои GeSi, и определена энергия края полос фоточувствительности, связанных с этими слоями. Наблюдалась электролюминесценция при 77 К, обусловленная излучательными межзонными переходами в кластерах GeSi. Доп.точки доступа: Красильник, З. Ф.; Филатов, Д. О.; Круглова, М. В.; Морозов, С. В.; Ремизов, Д. Ю.; Николичев, Д. Е.; Шенгуров, В. Г. |
539.2 В 78 Востоков, Н. В. Влияние предосаждения Si (1-x) Ge (x) слоя на рост SiGe/Si (001) самоформирующихся островков [] / Н. В. Востоков, Ю. Н. Дроздов [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 29-32. - Библиогр.: с. 32 (7 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): германий; гетеропара; кремний; наноостровки; нанофотоника; плотность; поверхностная плотность; предосаждение; самоформирующиеся наноостровки Аннотация: Исследован рост Ge (Si) самоформирующихся островков на напряженном Si (1-x) Ge (x) слое. Обнаружено, что размеры и поверхностная плотность островков увеличиваются с ростом содержания Ge в Si (1-x) Ge (x) слое. Доп.точки доступа: Дроздов, Ю. Н.; Красильник, З. Ф.; Лобанов, Д. Н.; Новиков, А. В.; Яблонский, А. Н.; Stoffel, M.; Denker, U.; Schmidt, O.; Горбенко, О. М.; Сошников, И. П. |
539.2 Ш 38 Шегай, О. А. Фотопроводимость структур Si/Ge/SiO (x) и Si/Ge/Si с квантовыми точками германия [] / О. А. Шегай, А. Ю. Березовский, В. В. Ульянов, А. И. Никифоров // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 33-36. - Библиогр.: с. 36 (4 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): германий; квантовые точки; кремний; латеральная фотопроводимость; межзонный свет; нанофотоника; оксид кремния; самоорганизующиеся квантовые точки; свет; ступенчатый рост; фотопроводимость Аннотация: Обнаружено немонотонное поведение латеральной фотопроводимости при изменении интенсивности межзонного света в структурах Si/Ge/Si и Si/Ge/SiO (x) с самаоорганизующимися квантовыми точками германия, когда наряду со ступенчатым ростом фотопроводимости наблюдается и ее ступенчатое уменьшение. Доп.точки доступа: Березовский, А. Ю.; Ульянов, В. В.; Никифоров, А. И. |
539.2 Я 45 Якимов, А. И. Ge/Si-фотодиоды и фототранзисторы со встроеными слоями квантовых точек Ge для волоконно-оптических линий связи [] / А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, В. В. Кириенко, А. И. Никифоров // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 37-40. - Библиогр.: с. 40 (6 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): волоконно-оптические линии; волоконные световоды; встроенные слои; германий; гетероструктуры; квантовые точки; кремниевые чипы; кремний; линии; нанофотоника; световоды; связь; слои; фотодиоды; фототранзисторы; чипы Аннотация: На основе многослойных гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge реализованы фотоприемные элементы для волоконно-оптических линий связи, способные встраиваться в комплекс фотонных компонентов на едином кремниевом чипе. Доп.точки доступа: Двуреченский, А. В.; Кириенко, В. В.; Никифоров, А. И. |
539.2 В 78 Востоков, Н. В. Влияние скорости осаждения Ge на рост и фотолюминесценцию самоформирующихся островков Ge (Si) / Si (001 [] / Н. В. Востоков, З. Ф. Красильник [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 41-43. - Библиогр.: с. 43 (11 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): германий; кремний; куполообразные островки; наноостровки; нанофотоника; осаждение; островки; пирамидальные островки; самоформирующиеся островки; фотолюминесценция Аннотация: Представлены результаты исследований роста и фотолюминесценции самоформирующихся островков Ge (Si) / Si (001) , полученных в широком интервале скоростей осаждения Ge. Доп.точки доступа: Красильник, З. Ф.; Лобанов, Д. Н.; Новиков, А. В.; Шалеев, М. В.; Яблонский, А. Н. |
539.2 В 78 Востоков, Н. В. Релаксированные буферные слои Si (1-x) Ge (x) / Si (001) , выращенные методом газофазной эпитаксии при атмосферном давлении [] / Н. В. Востоков, Ю. Н. Дроздов [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 44-45. - Библиогр.: с. 46 (8 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): атмосферное давление; буферные слои; газофазная эпитаксия; германий; давление; дислокации; кремний; нанофотоника; плотность; поверхностные слои; подложки; полировка; прорастающие дислокации; релаксированные буферные слои; слои; химико-механическая полировка; шероховатость; эпитаксия Аннотация: Методом газофазной эпитаксии при атмосферном давлении выращены релаксированные градиентные буферные слои Si (1-x) Ge (x) / Si (001) , имеющие низкую плотность прорастающих дислокаций. За счет применения химико-механической полировки поверхности слоев Si (1-x) Ge (x) / Si (001) удалось понизить шероховатость их поверхности до значений, сравниваемых с шероховатостью поверхности исходных подложек Si (001) . Доп.точки доступа: Дроздов, Ю. Н.; Красильник, З. Ф.; Кузнецов, О. А.; Новиков, А. В.; Перевощиков, В. А.; Шалеев, М. В. |
539.2 Я 49 Якунин, М. В. Исследование размерно-квантованной валентной зоны Ge в потенциальной яме Ge (1-x) Si (x) / Ge / Ge (1-x) Si (x) с помощью гальваномагнитных эффектов [] / М. В. Якунин, Г. А. Альшанский [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 50-53. - Библиогр.: с. 53 (14 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): валентные зоны; гальваномагнитные эффекты; германий; дырки; зоны; квантование; кремний; нанофотоника; подзоны; потенциальные ямы; размерно-квантованные зоны; слои; тяжелые дырки; эффекты; ямы Аннотация: На основании расчетов структуры размерно-квантованной валентной зоны Ge в слое с ориентацией (111) показано, что эффективная масса, описывающая движение дырок вдоль (111) слоя, почти на порядок меньше, чем масса тяжелых дырок в объемном материале, которая ответственна за формирование в этом слое уровней размерного квантования. Доп.точки доступа: Альшанский, Г. А.; Арапов, Ю. Г.; Неверов, В. Н.; Харус, Г. И.; Шелушинина, Н. Г.; Кузнецов, О. А.; де Виссер, А.; Пономаренко, Л. |
539.2 В 15 Валах, М. Я. Спектроскопия комбинационного рассеяния света и электроотражения самоорганизованных SiGe - наноостровков, сформированных при различных температурах [] / М. Я. Валах, Р. Ю. Голиней [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 54-57. - Библиогр.: с. 57 (14 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): германий; комбинационное рассеяние; кремниевые матрицы; кремний; матрицы; межзонные оптические переходы; молекулярно-лучевая эпитаксия; наноостровки; нанофотоника; напряжения; переходы; полупроводники; рассеяние; самоорганизованные наноостровки; свет; спектроскопия; упругие напряжения; электронные переходы; электроотражение; энергии; эпитаксия Аннотация: Исследованы SiGe - наноостровки в кремниевой матрице. Показано, что зависящие от температуры роста структур изменения компонентного состава, размеров и формы наноостровков и связанные с этим величины упругих напряжений существенно изменяют энергии электронных межзонных оптических переходов в островках. Доп.точки доступа: Голиней, Р. Ю.; Джаган, В. Н.; Красильник, З. Ф.; Литвин, О. С.; Лобанов, Д. Н.; Милехин, А. Г.; Никифоров, А. И.; Новиков, А. В.; Пчеляков, О. П.; Юхимчук, В. А. |
539.2 Ц 97 Цырлин, Г. Э. Влияние сурьмы на морфологию и свойства массива Ge / Si (100) - квантовых точек [] / Г. Э. Цырлин, А. А. Тонких [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 58-62. - Библиогр.: с. 62 (15 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): атомно-силовая микроскопия; быстрые электроны; германий; дифракция; квантовые точки; кремний; микроскопия; молекулярно-пучковая эпитаксия; морфология; наноостровки; нанофотоника; отражение; сурьма; электроны; эпитаксия Аннотация: Методами дифракции быстрых электронов на отражение и атомно-силовой микроскопии исследованы морфологические особенности формирования квантовых точек в системе (Ge, Sb) / Si при молекулярно-пучковой эпитаксии. Доп.точки доступа: Тонких, А. А.; Птицын, В. Э.; Дубровский, В. Г.; Масалов, С. А.; Евтихиев, В. П.; Денисов, Д. В.; Устинов, В. М.; Werner, P. |
539.2 П 92 Пчеляков, О. П. Наногетероструктуры Si-Ge-GaAs для фотоэлектрических преобразователей [] / О. П. Пчеляков, А. В. Двуреченский [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 63-66. - Библиогр.: с. 66 (31 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): вакуум; галлий; германий; гетероструктуры; композиции; кремний; молекулярно-лучевая эпитаксия; молекулярные пучки; мышьяк; наногетероструктуры; нанофотоника; полупроводники; преобразователи; пучки; сверхвысокий вакуум; тонкопленочные композиции; фотоэлектрические преобразователи; эпитаксия Аннотация: Проведен анализ состояния технологических разработок в области синтеза из молекулярных пучков в сверхвысоком вакууме, который является перспективным методом получения многослойных полупроводниковых тонкопленочных композиций. Доп.точки доступа: Двуреченский, А. В.; Никифоров, А. И.; Паханов, Н. А.; Соколов, Л. В.; Чикичев, С. И.; Якимов, А. И. |
539.2 Н 62 Никифоров, А. И. Получение наноостровков Ge ультрамалых размеров с высокой плотностью на атомарно-чистой поверхности окиси Si [] / А. И. Никифоров, В. В. Ульянов [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 67-69. - Библиогр.: с. 69 (11 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): атомарно-чистые поверхности; высокая плотность; германий; кремний; наноостровки; нанофотоника; окисленные поверхности; окись; окись кремний; островки; пленки; плотность; поверхности; самоорганизация Аннотация: Приведены экспериментальные результаты исследований начальных стадий роста пленки германия на атомарно-чистой окисленной поверхности кремния. Доп.точки доступа: Ульянов, В. В.; Пчеляков, О. П.; Тийс, С. А.; Гутаковский, А. К. |
539.2 Б 91 Бурбаев, Т. М. Морфологическая перестройка слоя германия на кремнии при низких температурах молекулярно-пучковой эпитаксии [] / Т. М. Бурбаев, В. А. Курбатов [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 70-73. - Библиогр.: с. 73 (12 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): атомно-силовая микроскопия; германий; кремний; микроскопия; молекулярно-пучковая эпитаксия; морфологическая перестройка; наноструктуры; нанофотоника; низкие температуры; перестройка; температуры; фотолюминесценция; эпитаксия Аннотация: Методами фотолюминесценции и атомно-силовой микроскопии исследованы Si/Ge - наностуктуры, выращенные при низких температурах молекулярно-пучковой эпитаксии, при различной толщине слоя германия. Доп.точки доступа: Курбатов, В. А.; Рзаев, М. М.; Погосов, А. О.; Сибельдин, Н. Н.; Цветков, В. А.; Lichtenberger, H.; Schaffler, F.; Leitao, J. P.; Sobolev, N. A.; Carmo, M. C. |
539.2 А 49 Алешкин, В. Я. Мелкие акцепторы в гетероструктурах Ge/GeSi с квантовыми ямами в магнитном поле [] / В. Я. Алешкин, А. В. Антонов [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 74-79. - Библиогр.: с. 79 (19 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): акцепторы; германий; гетероструктуры; квантовые ямы; кремний; магнитные поля; магнитопоглощения; нанофотоника; поля; резонанс; циклотронный резонанс; ямы Аннотация: Экспериментально и теоретически исследованы мелкие акцепторы в гетероструктурах Ge/GeSi с квантовыми ямами в магнитном поле. Показано, что наряду с линиями циклотронного резонанса в спектрах магнитопоглощения наблюдаются переходы с основного состояния акцептора на возбужденные состояния. Доп.точки доступа: Антонов, А. В.; Векслер, Д. Б.; Гавриленко, В. И.; Ерофеева, И. В.; Иконников, А. В.; Козлов, Д. В.; Кузнецов, О. А.; Спирин, К. Е. |
539.2 Ш 19 Шамирзаев, Т. С. Фотолюминесценция квантовых точек германия, выращенных в кремнии на субмонослое SiO (2 [] / Т. С. Шамирзаев, М. С. Сексенбаев [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 80-82. - Библиогр.: с. 82 (12 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): активация; германий; дефекты; дырки; квантовые точки; кремний; молекулярно-лучевая эпитаксия; монослои; нанофотоника; оксид кремния; слои; субмонослои; температуры; термостимулирование; точки; фотолюминесценция; эпитаксия Аннотация: Исследована температурная зависимость фотолюминесценции квантовых точек в структурах Si/Ge/SiO (2) /Si и Si/Ge/Si. Малые значения энергий активации температурного гашения фотолюминесценции квантовых точек в обоих типах изученных структур объяснены термостимулированным захватом дырок из квантовых точек на уровни дефектов, локализованных в их окрестности. Доп.точки доступа: Сексенбаев, М. С.; Журавлев, К. С.; Никифоров, А. И.; Ульянов, В. В.; Пчеляков, О. П. |
539.2 А 65 Андреев, Б. А. Спектроскопия возбуждения эрбиевой фотолюминесценции в эпитаксиальных структурах Si: Er [] / Б. А. Андреев, З. Ф. Красильник [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 83-85. - Библиогр.: с. 85 (5 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): возбуждающие излучения; возбуждения; излучения; кремний; нанофотоника; спектроскопия; структуры; фотолюминесценция; эпитаксиальные структуры; эпитаксия; эрбиевая фотолюминесценция; эрбий Аннотация: Исследованы спектры возбуждения эрбиевой фотолюминесценции в эпитаксиальных структурах Si: Er в широком диапазоне длин волн возбуждающего излучения. Доп.точки доступа: Красильник, З. Ф.; Яблонский, А. Н.; Кузнецов, В. П.; Gregorkiewicz, T.; Klik, M. A. J. |
539.2 Ш 47 Шенгуров, В. Г. Гетероэпитаксия легированных эрбием слоев кремния на сапфире [] / В. Г. Шенгуров, Д. А. Павлов [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 86-89. - Библиогр.: с. 89 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гетероэпитаксия; кремниевые слои; кремний; легирование; молекулярно-лучевая эпитаксия; нанофотоника; оптоэлектронные приложения; подложка; приложения; сапфир; сапфировая подложка; слои; сублимационная эпитаксия; фотолюминесценция; эпитаксия; эрбий Аннотация: Обсуждаются возможности получения методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии легированных эрбием кремниевых слоев на сапфировой подложке для оптоэлектронных приложений. Доп.точки доступа: Павлов, Д. А.; Светлов, С. П.; Чалков, В. Ю.; Шиляев, П. А.; Степихова, М. В.; Красильникова, Л. В.; Дроздов, Ю. Н.; Красильник, З. Ф. |