Тонкопленочные структуры PbSnTe : In/BaF[2]/CaF[2]/Si для монолитных матричных фотоприемных устройств дальнего ИК-диапазона [Текст] / А. Н. Акимов [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 11. - С. 88-95 : ил. - Библиогр.: с. 95 (4 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): тонкопленочные структуры -- фотоприемные устройства -- фотоприемники -- матричные фотоприемники -- монолитные матричные фотоприемные устройства -- инфракрасные диапазоны -- ИК-диапазоны -- дальние ИК-диапазоны -- PbSnTe : In/BaF[2]/CaF[2]/Si Аннотация: Впервые описано создание матричных фотоприемников форматом 288x 2 с размером элемента 25x 25 mum на основе структур PbSnTe : In/BaF[2]/CaF[2]/Si и приведены пороговые характеристики этих структур. Обнаружительная способность около 90% элементов составляет от 7. 2· 10{12} до 8. 7· 10{12} cm· Hz{0. 5}/W при T=21. 2 K. Разработанная технология открывает возможности создания монолитных матричных фотоприемных устройств дальнего ИК-диапазона. Доп.точки доступа: Акимов, А. Н.; Беленчук, А. В.; Климов, А. Э.; Качанова, М. М.; Неизвестный, И. Г.; Супрун, С. П.; Шаповал, О. М.; Шерстякова, В. Н.; Шумский, В. Н. |