537.222.22
А 180


    Авакянц, Л. П.
    Исследование встроенного электрического поля в напряженных сверхрешетках GaAs / GaAsP методом спектроскопии фотоотражения [Текст] / Л. П. Авакянц, П. Ю. Боков, Т. П. Колмакова, А. В. Червяков // Вестник Московского университета. Сер. 3, Физика. Астрономия. - 2004. - N 1. - Библиогр.: с. 47 (5 назв. ) . - ISSN 0201-7385
УДК
ББК 22.33
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
метод спектроскопии фотоотражения -- напряженные сверхрешетки GaAs / GaAsP -- встроенное электрическое поле -- осцилляции Франца-Келдыша -- деформационно-индуцированное пьезоэлектрическое поле
Аннотация: Методом спектроскопии фотоотражения исследованы напряженные сверхрешетки GaAs / GaAs[0. 6]P[0. 4], выращенные вдоль направлений [ 100 ] и [ 111 ]. Из анализа осцилляций Франца-Келдыша, наблюдаемых в спектрах фотоотражения, определены величины встроенных полей в сверхрешетках. Они составили 80 кВ/см для ориентации (100) и 430кВ/см для ориентации (111) . Различие указанных величин объяснено наличием деформационно-индуцированного пьезоэлектрического поля в напряженных сверхрешетках, выращенных вдоль направления [ 111 ].


Доп.точки доступа:
Боков, П. Ю.; Колмакова, Т. П.; Червяков, А. В.


539.2
С 714


   
    Спектроскопия фотоотражения электронно-дырочных состояний квантовой ямы GaAs/InGaAs/GaAs переменной ширины [Текст] / Л. П. Авакянц [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 330-334 : ил. - Библиогр.: с. 334 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
спектроскопия фотоотражения -- метод спектроскопии фотоотражения -- электронно-дырочные состояния -- квантовые ямы -- GaAs/InGaAs/GaAs -- квантование электронов -- электроны -- дырки (физика) -- гетероструктуры -- экспериментальные данные -- гетропереходы -- излучения -- валентные зоны
Аннотация: Методом спектроскопии фотоотражения исследован спектр электронно-дырочных состояний в квантовой яме GaAs/In[0. 5]Ga[0. 5]As переменной ширины от 1. 1 до 3. 6 нм. Произведен расчет энергий уровней размерного квантования электронов и дырок с учетом деформационно-индуцированных изменений зонной структуры квантовой ямы. Показано, что наилучшее совпадение экспериментальных данных с результатами расчета достигается при отношении разрывов зон проводимости и валентной на гетеропереходе Q=Delta E[c]/Delta E[v]=0. 62/0. 38. Обнаружен сигнал фотоотражения в области тени модулирующего излучения на расстояниях до 6 мм между пятнами зондирующего и модулирующего излучений.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/03/p330-334.pdf

Доп.точки доступа:
Авакянц, Л. П.; Боков, П. Ю.; Глазырин, Е. В.; Казаков, И. П.; Червяков, А. В.