Замороженная фотопроводимость в твердых растворах MgZnO [Текст] / А. Я. Поляков [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 5. - С. 604-607
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): замороженная проводимость -- твердые растворы -- метод импульсного лазерного распыления -- замороженная фотоемкость -- электронные ловушки Аннотация: Проведены систематические исследования электрических характеристик и эффектов замороженной проводимости в твердых растворах MgZnO (P), выращенных методом импульсного лазерного распыления на нелегированных подложках n-ZnO. Показано, что в исходных неотложенных слоях наблюдается сильная замороженная проводимость и замороженная фотоемкость, связанные с присутствием электронных ловушек с высоким барьером для захвата электронов. Эти ловушки находятся в нижней половине запрещенной зоны, имеют оптический порог ионизации 2. 8 эВ и высоту барьера для захвата электронов ~0. 4 эВ. Наряду с такими центрами наблюдаются также дырочные ловушки с энергией ионизации 0. 14 эВ. Отжиг при 850 градусов C переводит материал в p-типа проводимости, в котором преобладают акцепторы с энергией активации ~0. 2 эВ, связанные с фосфором. Наблюдается также компенсация проводимости и образование дырочных ловушек с энергией активации 0. 14 и 0. 84 эВ в подложке n-ZnO, что объясняется диффузией акцепторных дефектов в подложку при отжиге. Доп.точки доступа: Поляков, А. Я.; Смирнов, Н. Б.; Говорков, А. В.; Кожухова, Е. А.; Kim, H. S.; Norton, D. P.; Pearton, S. J.; Белогорохов, А. И. |