Формирование макро- и микроструктуры при бета-превращении в монокристаллах циркония [Текст] / Ю. В. Хлебникова [и др. ] // Физика металлов и металловедение. - 2009. - Т. 108, N 3. - С. 267-275. - Библиогр.: с. 275 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3230
УДК
ББК 34.2
Рубрики: Технология металлов
   Металловедение в целом

Кл.слова (ненормированные):
металлографические исследования -- рентгеноструктурные исследования -- электронно-микроскопические исследования -- монокристаллы -- иодидный цирконий -- зонная плавка -- метод зонной плавки
Аннотация: Проведено металлографическое, рентгеноструктурное и электронно-микроскопическое исследование структуры монокристалла иодидного циркония, полученного методом зонной плавки.


Доп.точки доступа:
Хлебникова, Ю. В.; Сазонова, В. А.; Родионов, Д. П.; Вильданова, Н. Ф.; Егорова, Л. Ю.; Калетина, Ю. В.; Солодова, И. Л.; Умова, В. М.




   
    Особенности формирования основного состояния в PrB[6] [Текст] / П. А. Алексеев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 5. - С. 858-860. - Библиогр.: с. 860 (7 назв. ) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
намагниченность -- теплопроводность -- монокристалл PrB[6] -- метод зонной плавки -- эффект Яна-Теллера -- Яна-Теллера эффект
Аннотация: Проведены измерения температурных зависимостей теплопроводности и намагниченности монокристалла PrB[6] в магнитных полях 0-14 T. Анализ полученных данных показал, что наряду с известными магнитными фазовыми переходами при T около7 и около 4 K при температурах ниже 20 K в PrB[6] появляется спонтанная намагниченность с относительно небольшим магнитным моментом, возникающая в результате снятия вырождения основного состояния, по-видимому за счет динамических структурных искажений.


Доп.точки доступа:
Алексеев, П. А.; Flachbart, K.; Gabani, S.; Лазуков, В. Н.; Priputen, P.; Reiffers, M.; Sebek, J.; Santana, E.; Духненко, А. В.; Филиппов, В. Б.; Шицевалова, Н. Ю.


539.2
П 126


    Пагава, Т. А.
    Влияние дозы облучения высокоэнергетичными протонами на подвижность электронов в кристаллах n-Si [Текст] / Т. А. Пагава, Н. И. Майсурадзе, М. Г. Беридзе // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 5. - С. 582-586 : ил. - Библиогр.: с. 586 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
облучение протонов -- протонное облучение -- высокоэнергетические протоны -- кристаллы -- n-Si -- зонная плавка -- метод зонной плавки -- метод Холла -- Холла метод -- фононновое рассеяние электронов -- электроны -- время старения (физика) -- температура измерения -- металлические включения -- отжиг -- изохронный отжиг -- кластеры -- разупорядоченные области -- РО -- холловская подвижность электронов
Аннотация: Исследовались монокристаллы n-Si, полученные методом зонной плавки, с концентрацией электронов 6 x 10{13} см{-3}. Образцы облучались протонами с энергией 25 МэВ при 300 K в интервале доз (1. 8-8. 1) x 10{12} см{-2}. Измерения проводились методом Холла в интервале температур T=77-300 K. В образцах, облученных различными дозами протонов, наблюдаются резкое увеличение измеряемой эффективной холловской подвижности mu[eff] или же наличие глубокого минимума на кривых mu[eff] (T) в области фононного рассеяния электронов сразу после облучения или после старения образцов соответственно. Наблюдаемый эффект объясняется образованием в облученных образцах высокопроводящих (металлических) включений и изменением степени их экранирования примесно-дефектной оболочкой в зависимости от дозы облучения, времени естественного старения и температуры измерения. Примесно-дефектные оболочки вокруг металлических включений образуются в процессах изохронного отжига или естественного старения облученных образцов. В работе высказано предположение, что металлические включения, которые образуются в кристаллах n-Si при облучении протонами с энергией 25 МэВ, являются наноразмерными атомными кластерами с радиусом 80 нм.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/05/p582-586.pdf

Доп.точки доступа:
Майсурадзе, Н. И.; Беридзе, М. Г.