22.37 С 173 Самойленко, З. А. Многообразие структурных форм в LaSrMnO, инициируемое условиями роста и лазерного облучения [Текст] / З. А. Самойленко, В. Д. Окунев [и др.] // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N2. - Библиогр.: с.124 (24 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): лазерное облучение -- лантан-марганцевые оксиды -- металлооксиды -- перовскиты -- структурные фазовые переходы Аннотация: Изучалась закономерность кристаллографических фазовых переходов в перовскитовых структурах металлоксидов LaSrMnO при уменьшении (или увеличении) внутренних напряжений, создаваемых в процессе роста пленок (в интервале темеператур 450-730`C) и изменяющихся при последующем лазерном (KrF, УФ диапазона) облучении их. Показано, что с увеличением температуры синтеза имеет место фазовый переход ромбоэдрической структуры в орторомбическую при 650-670`C. Он обусловливает два типа температурных зависимостей электрического сопротивления: R(T)=const при T[crit] или R(T)=R[max] при T=T[c] (T[c] - температура Кюри) и две группы спектров оптического пропускания: с высокими или низкими коэффициентами пропускания (t~ 0.8-0.9 или 0.1-0.3) при h*omega=0.5-2.5 eV. При лазерном облучении LaSrMnO в соответствии с рентгеноструктурными исследованиями фазовые переходы происходят только в пленках с T[s]<650`C с формированием разноразмерных фаз (орторомбической матрицы с дальним порядком и кластеров ромбоэдрической фазы с мезоскопическим порядком для пленок с T[s]=450-550`C или ромбоэдрической матрицы с орторомбическими кластерами для T[s]=550-650`) Доп.точки доступа: Окунев, В.Д.; Пушенко, Е.И.; Дьяченко, Т.А.; Черенков, А.; Gierlowski, P.; Lewandowski, S.J.; Abal'oshev, A.; Klimov, A.; Szewczyk, A. |
539.2 С 17 Самойленко, З. А. Фазовые переходы в атомной, электронной и магнитной подсистемах пленок LaSrMnO с изменением температуры роста [Текст] / З. А. Самойленко, В. Д. Окунев [и др.] // Журнал технической физики. - 2006. - Т. 76, N 6. - С. 111-118. - Библиогр.: c. 118 (18 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): аморфные пленки; кластеризованные структуры; кластеры; металлооксиды; фазовые переходы Аннотация: Рассмотрена эволюция кластеризованной структуры в аморфных пленках LaSrMnO с повышением температуры роста от 20 до 300{o}C. Показано, что при этом имеют место два фазовых перехода типа порядок-беспорядок, различающиеся масштабным параметром. Один из них - формирование мелких (~20 Angstrem) аморфных кластеров из неупорядоченно расположенных атомов при T[s[=100{o}C, что проявляется в экстремальном увеличении интенсивности диффузного рассеяния рентгеновских лучей в виде гало 1 при уменьшении до минимальной интенсивности некогерентного рассеяния (фона) . Повышение температуры до T[s]=150{C} приводит к доминированию процессов разупорядочения (I[incoh]=I[max]) , предшествующих второму фазовому переходу (T[s]=250-300{o}C) - новому этапу упорядочения структуры, при котором из крупных (>100 Angstrem) кристаллических кластеров формируется кристаллическая фаза (переход аморфное состояние-кристалл) с появлением дебаевских линий при одновременном ослаблении интенсивности гало. Показано, что структурный фазовый переход, приводящий к формированию дальнего порядка, сопровождается уменьшением удельного сопротивления образцов LaSrMnO от 1010 до 101 Omega*cm с изменением механизма проводимости от свойственного гранулированным системам туннельного механизма с участием металлических кластеров до прыжкового с переменной длиной прыжка, соответствующего закону Мотта: rho~exp (T-1/4) . В магнитной подсистеме происходит переход от парамагнитного состояния к ферромагнитному. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2006/06/p111-118.pdf Доп.точки доступа: Окунев, В. Д.; Пушенко, Е. И.; Пафомов, Н. Н.; Szymczak, R.; Baran, M.; Lewandowski, S. J. |
539.2 В 586 Влияние кластеризации потока на толщину пленок, осажденных при магнетронном и импульсном лазерном распылении металлооксидов [Текст] / В. Д. Окунев [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 5. - С. 63-70 : ил. - Библиогр.: с. 70 (14 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): мишени (физика) -- распыление мишеней -- магнетронное распыление -- лазерное распыление -- импульсное лазерное распыление -- металлооксиды -- плазма -- лазерная плазма -- пленки (физика) -- толщина пленок -- потоки плазмы -- кластеризация потока -- атомы -- ионы -- концентрация атомов -- эксперименты Аннотация: Изучена связь между кластеризацией потока вещества и толщиной пленок при магнетронном и импульсном лазерном распылении мишеней La[0. 7]Sr[0. 3]MnO[3] и YBa[2]Cu[3]O[7-delta]. Установлено, что для магнетронного распыления из-за низкой концентрации атомов (ионов) распыленного материала кластеризация потока в эксперименте не выявляется. В соответствии с расчетом для случая невзаимодействующих атомов наблюдается экспоненциальное уменьшение толщины пленок (h) с увеличением расстояния от мишени (L). Для импульсного лазерного распыления, при котором концентрация распыленного вещества в плазме на 4 порядка выше, наблюдается резкое отклонение зависимости h (L) от расчетной при расстояниях от мишени, больших 6. 2 cm, что обусловлено началом интенсивной кластеризации потока лазерной плазмы. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/05/p63-70.pdf Доп.точки доступа: Окунев, В. Д.; Lewandowski, S. J.; Szymczak, R.; Szymczak, H.; Дьяченко, Т. А.; Исаев, В. А.; Николаенко, Ю. М.; Abal'oshev, A.; Gierlowski, P.; Bielska-Lewandowska, H. |