539.2 С 173 Самойленко, З. А. Самоорганизация атомного порядка и электронной структуры в пленках LaSrMnO [Текст] / З. А. Самойленко, В. Д. Окунев [и др.] // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 5. - Библиогр.: c. 54-55 (20 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): атомный порядок -- кластеры -- магниторезистивные пленки -- многокомпонентные структуры -- самоорганизация Аннотация: Обнаружена линейная связь между температурами Tmax и Tmin, характеризующими экстремальные точки на температурных зависимостях сопротивления монокристаллических пленок La[0. 6]Sr[0. 2]Mn[1. 2]O[3], имеющих мезоскопическую неоднородность в виде металлических кластеров в диэлектрической матрице. Исследована связь между атомным порядком и электронной структурой образцов с помощью рентгеновской дифракции и оптических спектров поглощения. Показано, что повышение T[max] при одновременном понижении T[min] сопровождается коррелированными локальными изменениями в кластеризованных областях структуры в виде уменьшения объема, занятого группировками Mn-O плоскостей с большими межплоскостными расстояниями (d=2. 04-2. 08 Angstrem) , но с увеличением его в виде группы плоскостей с меньшими d=1. 99-1. 90 Angstrem. В электронной подсистеме увеличивается плотность состояний при homega=1. 5 и 2. 4 eV, связанных с наличием ионов Mn{3+} и Mn{4+}, но уменьшается вклад состояний Mn{2+} в области homega=0. 9 eV. Показано, что увеличение вклада структурных состояний с меньшими d, обусловленное ростом энергии связи Mn-O с увеличением зарядового состояния Mn{3+} и Mn{4+}, приводит к росту плотности состояний в электронной подсистеме в интервале энергий 0. 5-2. 7 eV. Наблюдающийся эффект самоорганизации многокомпонентной системы LaSrMnO включает в себя переход от сильно искаженной ромбоэдрической к менее искаженной орторомбической структуре. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/05/page-50.html.ru Доп.точки доступа: Окунев, В. Д.; Дьяченко, Т. А.; Пушенко, Е. И.; Lewandowski, S. J.; Gierlowski, P.; Klimov, A.; Abal'oshev, A. A. |