Локализованные электронные возбуждения в кристаллах фенакита Be[2]SiO[4] [Текст] / А. Ф. Зацепин [и др. ]> // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 3. - С. 437-445. - Библиогр.: с. 444-445 (31 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): электронные возбуждения -- кристаллы фенакитного класса -- экситонно-дефектные комплексы -- короткоживущие дефекты -- автолокализация электронных возбуждений -- излучательная релаксация Аннотация: Представлены результаты комплексных спектроскопических исследований природы и свойств электронных возбуждений, локализованных на регулярных и дефектных узлах кристаллической решетки Be[2]SiO[4]. Использованы методы импульсной абсорбированной спектроскопии при возбуждении электронным пучком, импульсной катодолюминесценции и низкотемпературной ВУФ-спектроскопии при селективном возбуждении синхротронным излучением. Доп.точки доступа: Зацепин, А. Ф.; Кухаренко, А. И.; Пустоваров, В. А.; Яковлев, В. Ю.; Чолах, С. О. |