Локализованные электронные возбуждения в кристаллах фенакита Be[2]SiO[4] [Текст] / А. Ф. Зацепин [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 3. - С. 437-445. - Библиогр.: с. 444-445 (31 назв. ) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
электронные возбуждения -- кристаллы фенакитного класса -- экситонно-дефектные комплексы -- короткоживущие дефекты -- автолокализация электронных возбуждений -- излучательная релаксация
Аннотация: Представлены результаты комплексных спектроскопических исследований природы и свойств электронных возбуждений, локализованных на регулярных и дефектных узлах кристаллической решетки Be[2]SiO[4]. Использованы методы импульсной абсорбированной спектроскопии при возбуждении электронным пучком, импульсной катодолюминесценции и низкотемпературной ВУФ-спектроскопии при селективном возбуждении синхротронным излучением.


Доп.точки доступа:
Зацепин, А. Ф.; Кухаренко, А. И.; Пустоваров, В. А.; Яковлев, В. Ю.; Чолах, С. О.