Влияние высокотемпературной обработки на структуру и эмиссионные свойства опала, легирванного эрбием [Текст] / В. М. Масалов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 6. - С. 1091-1096. - Библиогр.: с. 1096 (22 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): композиты опал-эрбий -- эрбий -- опал -- высокотемпературная обработка -- метод просвечивающей электронной микроскопии -- спектры отражения композитов -- нанокомпозиты Аннотация: Исследовано влияние высокотемпературной обработки композитов опал-эрбий на их спектральные свойства в области длин волн 1. 5 мюm, измерена концентрационная зависимость интенсивности люминесценции от содержания эрбия и изучена структура композита методом просвечивающей электронной микроскопии после высокотемпературной обработки. Регулярная структура композитов претерпевает значительные изменения вплоть до полной утраты периодичности при температурах отжига 1500 K и длительностях обработки 10 h и более. При этом композиты спекаются в однородную массу. Поры исчезают. На месте пор остаются включения оксида эрбия в форме шаров правильной круглой формы, размер которых варьирует от 30 до 70 nm. Измерения спектров люминесценции в области длин волн 1. 5 мюm для композитов опал-эрбий с концентрацией оксида эрбия в диапазоне 0. 25-16 wt. % показали максимум выхода люминесценции при содержании Er[2]O[3] в композите 1 wt. %. При исследовании влияния температуры и длительности обработки образцов на интенсивность люминесценции обнаружен немонотонный характер зависимости от времени отжига для всех исследованных температур. Обсуждаются причины такого поведения. Исследования спектров отражения композитов опал-1 wt. % Er[2]O[3] после термообработок показывают, что фотонная запрещенная зона образцов деградирует при температурах отжига 1300 K и выше. Намечен способ сохранения периодической структуры при термообработках путем введения в опал стабилизирующей фазы. Доп.точки доступа: Масалов, В. М.; Штейнман, Э. А.; Терещенко, А. Н.; Кудренко, Е. А.; Баженов, А. В.; Ковальчук, М. А.; Ходос, И. И.; Емельченко, Г. А. |