530.1 С 500 Смагина, Ж. В. Самоорганизация наноостровков германия при импульсном облучении пучком низкоэнергетических ионов в процессе гетероэпитаксии структур Ge/Si (100 [Текст] / Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 133, вып. 3. - С. 593-604. - Библиогр.: с. 603-604 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): низкоэнергетические ионы -- импульсное облучение -- пучки ионов -- гетероэпитаксия -- ионы -- кремний -- гетероструктуры -- германий -- облучение -- наноостровки германаия Аннотация: Приведены экспериментальные данные по росту трехмерных островков германия на поверхности Si (100) из ионно-молекулярных пучков в зависимости от температуры подложки, энергии ионов, доли ионизации молекулярного потока. Предложена модель гетероэпитаксии в условиях импульсного ионного облучения. Доп.точки доступа: Зиновьев, В. А.; Ненашев, А. В.; Двуреченский, А. В.; Армбристер, В. А.; Тийс, С. А. |
539.1 К 435 Кирсанов, М. А. Электронные процессы в ионизационной камере на жидком ксеноне в условиях высокоинтенсивного импульсного облучения [Текст] / М. А. Кирсанов, авт. И. М. Ободовский // Приборы и техника эксперимента. - 2008. - N 3. - С. 38-45. - Библиогр.: с. 45 (22 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Физика Ядерная физика в целом Кл.слова (ненормированные): электронные процессы -- ионизационные камеры -- ксенон -- жидкий ксенон -- импульсное облучение -- синхротроны Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования и моделирования электронных процессов в ионизационной камере, заполненной жидким ксеноном и облучаемой импульсами тормозного излучения синхротрона. Доп.точки доступа: Ободовский, И. М. |
Орлова, М. А. Стабильность пероксидаз растений при облучении источниками различной природы и мощности. Роль мутаций в изменении конформационного состояния [Текст] / М. А. Орлова, Д. М. Хушпульян, А. П. Орлов // Вестник Московского университета. Сер. 2. Химия. - 2009. - Т. 50, N 5. - С. 369-377. - Библиогр.: c. 376-377 (35 назв. ) . - ISSN 0201-7385
Рубрики: Биология Генная инженерия Общая генетика Физика Газы и жидкости Кл.слова (ненормированные): импульсное облучение -- импульсные источники -- конформационные состояния ферментов -- метод направленного мутагенеза -- метод радиоинактивации -- непрерывное облучение -- растительные пероксидазы -- стабильность пероксидаз растений Аннотация: Рассмотрены особенности растительных пероксидаз и использования метода радиоинактивации на непрерывных и импульсных источниках с величиной импульса от 1 нс до 65 мс для изучения стабильности и изменения конформационного состояния этих ферментов, а также приведены результаты, полученные для новых мутантных форм пероксидазы табака. Доп.точки доступа: Хушпульян, Д. М.; Орлов, А. П. |
Кирсанов, М. А. Ионные процессы в ионизационной камере на жидком ксеноне в условиях высокоинтенсивного импульсного облучения [Текст] / М. А. Кирсанов, И. М. Ободовский // Приборы и техника эксперимента. - 2010. - N 2. - С. 31-40. - Библиогр.: с. 40 (27 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Физика Ядерная физика в целом Кл.слова (ненормированные): ионные процессы -- гамма-спектрометры -- ионизационная камера -- ксенон -- жидкий ксенон -- импульсное облучение -- тормозное излучение -- микротрон Аннотация: Исследован ток положительных ионов в жидкоксеноновой ионизационной камере при интенсивном импульсном облучении камеры тормозным излучением микротрона. Доза, поглощенная в ксеноне за импульс облучения, варьировалась от 0. 1 до 1. 3 х 104 мкГр. Доп.точки доступа: Ободовский, И. М. |
Диффузионная модель разветвленной цепной реакции взрывного разложения азидов тяжелых металлов [Текст] / В. Г. Кригер [и др. ] // Химическая физика. - 2009. - Т. 28, N 8. - С. 67-71 : ил. - Библиогр.: с. 71 (14 назв. ) . - ISSN 0207-401X
Рубрики: Химия Химическая связь и строение молекул Кл.слова (ненормированные): диффузионные модели -- твердофазные цепные реакции -- взрывные разложения -- азиды тяжелых металлов -- азиды -- критическая плотность -- микрокристаллы -- импульсное облучение -- коэффициент диффузии -- электронные заряды -- передача энергии -- тяжелые металлы -- цепные реакции Аннотация: Рассмотрена диффузионная модель твердофазной цепной реакции взрывного разложения азидов тяжелых металлов. Исследованы размерные эффекты инициирования реакции: зависимость критической плотности энергии инициирования от размера микрокристаллов (H (R) ) и от диаметра зоны облучения (H (d) ). Показано, что диффузионная модель цепной реакции хорошо объясняет экспериментальную зависимость H (R) при значении коэффициента диффузии D ~ 0. 2–0. 3 см[2]/с, величина которого соответствует экспериментальной подвижности электронных носителей заряда (мю ~ 10 см[2]/B · с). Для объяснения экспериментально наблюдаемой зависимости H (d) и скорости движения фронта реакции (V = 1. 2 км/с) требуется, чтобы величина коэффициента диффузии на 3 порядка превышала экспериментально наблюдаемую. Невозможность одновременного количественного описания зависимостей H (R) и H (d) связана с различными механизмами передачи энергии, определяющими эти эффекты. Доп.точки доступа: Кригер, В. Г.; Каленский, А. В.; Звеков, А. А.; Ананьева, М. А.; Боровикова, А. П. |
539.21:537 А 785 Апушкинский, Е. Г. Ультразвуковые и вихревые колебания в высокотемпературных сверхпроводниках [Текст] / Е. Г. Апушкинский, М. С. Астров, В. К. Соболевский // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 6. - С. 42-50. - Библиогр.: c. 50 (22 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): высокотемпературные сверхпроводники -- ВТСП -- сверхпроводники -- сверхпроводящая керамика -- ультразвуковые колебания -- вихревые колебания -- импульсное облучение -- облучение радиочастотными импульсами -- эхо-сигналы -- радиочастотное магнитное поле -- флюксоидные колебания -- центры пиннинга -- колебания решетки -- звуковые волны -- уравнения звуковой волны -- нелинейные дифференциальные уравнения Аннотация: Образец порошка высокотемпературного сверхпроводника (ВТСП) с диаметром крупинок (частиц) 20-50 mum, помещенный в постоянное магнитного поле B[0] и охлажденный до температуры ниже критической, облучался импульсами радиочастотного (РЧ) магнитного поля B~ (B~ normal B[0]) с несущей частотой 30. 7 MHz. Регистрировались стабильные эхо-сигналы, следующие за различными последовательностями РЧ-импульсов. Механизм явления следующий. РЧ магнитное поле стимулирует флюксоидные колебания на поверхности крупинки ВТСП, которые через центры пиннинга вблизи поверхности преобразуются в колебания решетки, индуцируя распространяющуюся звуковую волну. Учтенная нами в уравнении звуковой волны нелинейность второго порядка по градиенту от отклонения кристаллической решетки от положения равновесия приводит к зависимости собственной частоты свободных колебаний кристаллической решетки от амплитуды и длительности возбуждающих эти колебания импульсов. Подобная зависимость и отвечает за возникновение эхо-сигналов. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/06/p42-50.pdf Доп.точки доступа: Астров, М. С.; Соболевский, В. К. |
537.533/.534 И 373 Изменение состава и структуры поверхностных слоев, морфологии поверхности и механических свойств углеродистой стали Ст.3 в зависимости от дозы импульсного облучения ионами хрома / В. Л. Воробьев [и др.] // Физика и химия обработки материалов. - 2013. - № 3. - С. 13-17 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): ионная имплантация -- углеродистые стали -- импульсное облучение -- хром -- карбид -- импульсное облучение ионами хрома Аннотация: Показано, что с увеличением дозы импульсного облучения углеродистой стали Ст. 3 ионами Cr+ с энергией 30 кэВ от 1016 до 5·1017 см–2 концентрация хрома в поверхностном слое толщиной ~40 нм возрастает от 1-2 до 18-20 ат. %. Обнаружено образование карбида Cr3C2 в облученном слое. Установлено, что импульсное ионное облучение приводит к увеличению шероховатости поверхности изменению структуры стали на глубинах, превышающих длину проективного пробега ионов. Доп.точки доступа: Воробьев, В. Л.; Быков, П. В.; Баянкин, В. Я.; Быстров, С. Г.; Порсев, В. Е.; Буреев, О. А. |
539.21:537 В 932 Высокотемпературная термолюминесценция анионодефицитного корунда и возможности его применения в высокодозной дозиметрии / А. И. Сюрдо [и др.]. // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 23. - С. 22-30 : ил. - Библиогр.: с. 29-30 (13 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): высокотемпературная термолюминесценция -- анионодефицитный корунд -- высокодозная дозиметрия -- результаты исследований -- детекторы -- рентгеновское излучение -- электронное излучение -- диапазоны доз -- импульсная мощность -- температурные интервалы -- рентгеновское облучение -- импульсное облучение -- дозовые зависимости -- облучение -- отклики -- светосуммы -- термолюминесценция Аннотация: Приведены результаты исследований термолюминесценции (ТЛ) монокристаллов анионодефицитного корунда (alpha-Al[2]O[3]-delta) и детекторов ТЛД-500 на их основе, облученных импульсными рентгеновскими и электронными излучениями в широком диапазоне доз D, импульсных мощностей доз PP и температур. При D = 0. 05-150 Gy проведено сравнение откликов ТЛ у alpha-Al[2]O[3]-delta для непрерывного и импульсного рентгеновского облучения. В отличие от непрерывного при импульсном облучении с PP меньше или равно 6·10{6} Gy/s зарегистрирован линейный рост откликов ТЛ от D в основном и "хромовом" пиках соответственно при 450 и 580 K с уменьшением наклона дозовой зависимости при D > 2 Gy для пика 450 K. Обнаружено при облучении большими дозами (> 60 Gy) появление нового пика ТЛ при 830 K и преимущественное перераспределение в него запасенных светосумм. Для отклика в пике ТЛ при 830 K изучена дозовая зависимость, которая линейна в диапазоне сверхбольших доз 10{4}-6·10{6} Gy при PP = 2. 6·10{11} Gy/s. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/23/p22-30.pdf Доп.точки доступа: Сюрдо, А. И.; Мильман, И. И.; Абашев, Р. М.; Власов, М. И.; Институт промышленной экологии УрО РАН (Екатеринбург); Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина (Екатеринбург); Институт промышленной экологии УрО РАН (Екатеринбург); Институт промышленной экологии УрО РАН (Екатеринбург)Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина (Екатеринбург) |