Транспорт в сверхрешетках GaAs/Al[x]Ga[1-x]As с узкими запрещенными мини-зонами: эффекты межминизонного туннелирования [Текст] / А. А. Андронов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 2. - С. 240-247
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): сверхрешетки -- GaAs/Al[x]Ga[1-x]As -- запрещенные мини-зоны сверхрешеток -- межминизонное туннелирование -- уровни Ванье-Штарка -- Ванье-Штарка уровни Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований вольт-амперных характеристик сверхрешеток на основе GaAs-Al[x]Ga[1-x]As с узкими барьерами в области электрических полей, где имеется интенсивное межминизонное туннелирование. Обнаружены регулярные особенности на вольт-амперных характеристиках в области напряжений, отвечающих статической положительной дифференциальной проводимости в сверхрешетке. На основании расчетов уровней Ванье-Штарка установлено, что наблюдаемые особенности связаны с резонансным туннелированием между этими уровнями, относящимися к квантовым ямам, расположенным на расстоянии до 6-13 периодов сверхрешетки друг от друга. Отмечено, что подобная резонансная делокализация волновых функций Ванье-Штарка может привести к существованию в таких сверхрешетках динамической отрицательной дифференциальной проводимости лазерного типа заметной величины. Доп.точки доступа: Андронов, А. А.; Додин, Е. П.; Зинченко, Д. И.; Ноздрин, Ю. Н. |
Транспорт в сверхрешетках GaAs/Al[x]Ga[1-x]As с узкими запрещенными мини-зонами: низкочастотная отрицательная дифференциальная проводимость и токовые осцилляции [Текст] / А. А. Андронов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 2. - С. 248-256
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): сверхрешетки -- GaAs/Al[x]Ga[1-x]As -- запрещенные мини-зоны сверхрешеток -- дифференциальная проводимость -- токовые осцилляции Аннотация: Измерены вольт-амперные характеристики и изучены низкочастотные токовые неустойчивости в сверхрешетках GaAs/Al[x]Ga[1-x]As с узкими запрещенными мини-зонами. В относительно слабых электрических полях обнаружена пилообразная структура вольт-амперных характеристик с чередующимися участками положительной и отрицательной дифференциальной проводимости, спонтанная генерация низкочастотных токовых колебаний со сложным частотным спектром (от дискретного до сплошного). Показано, что наблюдаемые особенности электронного транспорта обусловлены пространственно-временной динамикой доменов электрического поля (диполей и монополей). Наблюдались также эффекты бифуркации, гистерезиса и мультистабильности вольт-амперных характеристик. В сильных полях на вольт-амперных характеристиках наблюдались и идентифицированы регулярные особенности, обусловленные резонансным туннелированием электронов между уровнями ванье-штарковских лестниц, принадлежащих квантовым ямам, разнесенным на несколько периодов. Доп.точки доступа: Андронов, А. А.; Додин, Е. П.; Зинченко, Д. И.; Ноздрин, Ю. Н. |